TM4100EAD9-80

8 880,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

DRAM Модуль TM4100EAD9-80 от Texas Instruments

Общее описание

Модуль динамической оперативной памяти (DRAM) TM4100EAD9-80 от Texas Instruments представляет собой высокопроизводительное решение для временного хранения данных в различных электронных устройствах. Этот модуль обладает емкостью 4 МБ и временем доступа 80 нс, что делает его подходящим для применения в широком спектре устройств от компьютеров до встраиваемых систем.

Преимущества

  • Высокая производительность: Время доступа 80 нс обеспечивает быстрое считывание и запись данных.
  • Надежность: Texas Instruments известна своими высококачественными компонентами, обеспечивающими длительный срок службы и стабильную работу.
  • Совместимость: 30-контактный SIMM форм-фактор подходит для многих стандартных разъемов на материнских платах и других электронных системах.

Недостатки

  • Устаревший интерфейс: 30-контактный SIMM модуль может не быть совместим с новыми, более современными разъемами.
  • Емкость: 4 МБ может не хватать для современных приложений, требующих большого объема оперативной памяти.

Типовое использование

  • Компьютеры: В качестве оперативной памяти в старых моделях компьютеров.
  • Встраиваемые системы: Использование в различных встраиваемых устройствах, где требуется оперативная память средней емкости.
  • Промышленная автоматика: Подходит для применения в оборудованиях, где надежность и предсказуемое время доступа являются критически важными.

Рекомендации по применению

  • Убедитесь в совместимости данного модуля с вашей материнской платой или другой аппаратной платформой.
  • Обеспечьте корректную установку модуля для предотвращения возможных проблем с соединениями и работоспособностью.

Основные технические характеристики

  • Производитель: Texas Instruments
  • Модель: TM4100EAD9-80
  • Емкость: 4 МБ
  • Форм-фактор: 30-контактный SIMM
  • Время доступа: 80 нс
  • Напряжение питания: 5 ± 10%

Возможные аналоги

  • Fujitsu MB81C4256A-70P: Аналогичный 30-контактный SIMM модуль с емкостью 4 МБ и временем доступа 70 нс.
  • Micron MT4C4001JDJ-6: 30-контактный SIMM модуль с временем доступа 60 нс, емкостью 4 МБ.

TM4100EAD9-80 от Texas Instruments является надежным и проверенным временем компонентом, идеально подходящим для использования в широком спектре электронных устройств.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК