TM248NBK36R-80

15 600,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

DRAM Module TM248NBK36R-80 от Texas Instruments

Общее описание

TM248NBK36R-80 – это динамическое оперативное запоминающее устройство (DRAM) на 2Mx36 с временем доступа 80 нс. Этот модуль памяти предназначен для использования в высокопроизводительных приложениях, требовательных к быстродействию и плотности памяти.

Преимущества

  • Высокая производительность: Максимальная скорость доступа 80 нс обеспечивает быстрое чтение и запись данных.
  • Высокая плотность: 2Mx36 бит позволяет использовать этот модуль в приложениях, требующих значительного объема памяти.
  • Надежность и стабильность: Произведено компанией Texas Instruments, что гарантирует высокое качество и надежность компонента.

Недостатки

  • Устаревший стандарт: DRAM с временем доступа 80 нс может считаться устаревшей для современных высокоскоростных приложений.
  • Энергопотребление: Данный тип памяти потребляет больше энергии по сравнению с современными стандартами памяти, такими как DDR3 или DDR4.

Типовое использование

Этот DRAM модуль может быть применен в:

  • Встраиваемых системах
  • Промышленных контроллерах
  • Медицинском оборудовании
  • Телекоммуникационном оборудовании

Рекомендации по применению

  • Эффективно используйте ресурсы: Учитывайте энергопотребление и охлаждение для длительной и стабильной работы модуля.
  • Совместимость: Перед использованием убедитесь в совместимости с существующей системной архитектурой и контроллерами памяти.
  • Тестирование: Проведите тщательное тестирование для обеспечения стабильности и надежности работы в вашем конкретном приложении.

Основные технические характеристики

  • Память: 2Mx36 бит
  • Время доступа: 80 нс
  • Производитель: Texas Instruments
  • Тип памяти: DRAM
  • Количество выводов: Контактные площадки

Возможные аналоги

  • TM248NBK36R-70: Аналогичный модуль с временем доступа 70 нс от того же производителя.
  • HYB514171BJ-60: DRAM модуль от Siemens с временем доступа 60 нс.
  • MT18LSDT3272G-10EB1: DDR SDRAM модули от Micron Technology.

Подробную спецификацию и datasheet можно найти на официальном сайте производителя Texas Instruments.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК