SVF531R3K2CMK4

SVF531R3K2CMK4 от NXP

Общее описание

SVF531R3K2CMK4 — это надежный и высокоэффективный силовой MOSFET транзистор от NXP Semiconductors. Данный компонент идеально подходит для различных приложений в области электроники, требующих высоких токов и малых потерь мощности. В основе транзистора лежат новейшие технологии, обеспечивающие улучшенные характеристики переключения и низкие значения сопротивления в открытом состоянии (Rds(on)).

Преимущества

• Высокая эффективность: Низкое сопротивление в открытом состоянии снижает потери мощности.
• Надежность: Высокая стойкость к напряжению, что увеличивает надежность работы устройства.
• Высокая скорость переключения: Обеспечивает более быструю работу схемы и снижает время задержки.
• Компактность: Малый размер и удобный форм-фактор для монтажа на плату.

Недостатки

• Стоимость: Возможна более высокая цена по сравнению с некоторыми альтернативами.
• Тепловая отдача: При высоких токах может потребоваться дополнительное охлаждение.

Типовое использование

1. Источники питания: Применяется в блоках питания для повышения эффективности и уменьшения потерь энергии.
2. Моторные драйверы: Используется для управления электродвигателями, обеспечивая высокую точность и надежность.
3. Автомобильная электроника: Широко применяется в автомобильных системах управления и питания.
4. Промышленная автоматизация: Идеален для использования в промышленном оборудовании для повышения производительности и надежности.

Рекомендации по применению

• Эффективное охлаждение: При использовании на высоких токах рекомендуется предусмотреть радиаторы или другие методы отвода тепла для оптимальной работы.
• Правильный выбор драйвера: Для управления транзистором используйте драйверы с подходящими характеристиками выхода.
• Заземление: Убедитесь, что заземление схемы выполнено корректно для повышения безопасности и снижения помех.

Основные технические характеристики

• Максимальное напряжение стока-истока (Vds): 30 В
• Максимальный ток стока (Id): 120 A
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 1.3 мОм
• Тип корпуса: LFPAK56 (Power-SO8)
• Рабочая температура: -55°C до +175°C
• Максимальная мощность рассеивания: 125 Вт

Возможные аналоги

• IRLZ24N от Infineon
• STP55NF06 от STMicroelectronics
• FDPF7N50NZ от Fairchild Semiconductor

Используя SVF531R3K2CMK4, вы получаете качественный и надежный компонент для различных областей применения, требующих высокой производительности и долговечности.