STY60NM60

5 280,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

STY60NM60 от STMicroelectronics

Общее описание

STY60NM60 - это мощный N-канальный MOSFET от компании STMicroelectronics, предназначенный для использования в высоковольтных и высокомощных приложениях. Этот транзистор имеет номинальное напряжение пробоя сток-исток 600 В и максимальный непрерывный ток сток-исток 60 А при рабочей температуре корпуса.

Преимущества

  • Высокое напряжение пробоя: 600 В позволяет использовать компонент в приложениях с высоким напряжением.
  • Большой допустимый ток: до 60А, что делает его подходящим для мощных электронных устройств.
  • Низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): минимизирует энергопотери и улучшает эффективность.
  • Широкий температурный диапазон: до 150°C, что повышает его надежность в различных условиях эксплуатации.

Недостатки

  • Высокая входная ёмкость: 7300 пФ @ 25 В, что требует дополнительных мер для быстрого переключения.
  • Большой заряд затвора (Qg): 266 нК, что может потребовать более мощного драйвера затвора.

Типовое использование

  • Преобразователи и инверторы
  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • Контроллеры двигателей
  • Высоковольтные переключатели

Рекомендации по применению

  1. Охлаждение: Учитывайте мощность рассеяния (560 Вт) и обеспечьте надлежащее теплоотведение.
  2. Драйверы затвора: Используйте мощные драйверы затвора для эффективного управления MOSFET.
  3. Защита: Включите схемы защиты от перенапряжения и перегрузки по току для повышения долговечности устройства.

Основные технические характеристики

  • Тип транзистора: N-канал
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток (Vdss): 600 В
  • Ток сток-исток (Id) при 25°C: 60 А
  • Управляющее напряжение (Vgs): ±30В
  • Сопротивление канала (Rds(on)): 55 мОм @ 30A, 10V
  • Ёмкость входа (Ciss): 7300 пФ @ 25 В
  • Заряд затвора (Qg): 266 нК @ 10 В
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 560 Вт (Tc)
  • Температурный диапазон: от -55°C до 150°C
  • Корпус: MAX247™
  • Монтаж: Сквозное отверстие

Возможные аналоги

  • IRFP460 от Infineon Technologies
  • IXFK70N60Q от IXYS
  • APT60DS60 от Microsemi

Используйте STY60NM60 от STMicroelectronics для создания надежных и эффективных силовых решений, подходящих для широкого спектра высоковольтных приложений.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК