STY60NM50

Полупроводниковый прибор STY60NM50 от STMicroelectronics

Общее описание

STY60NM50 - это силовой MOSFET транзистор с n-каналом, предназначенный для высоковольтных приложений. Изготавливается компанией STMicroelectronics с использованием технологии MDmesh™, которая обеспечивает повышенную производительность и надежность.

Преимущества

• Высокое напряжение пробоя (500 В): подходит для высоковольтных приложений.
• Высокая допустимая мощность: максимальная рассеиваемая мощность 560 Вт.
• Большой ток стока: до 60 А при 25°C.
• Низкое сопротивление канала: 50 мОм при 10 В и 30 А.
• Широкий диапазон рабочих температур: до 150°C (Tj).
• Удобный корпус MAX247™: прост в установке и надежен в эксплуатации.

Недостатки

• Требуется значительное управляющее напряжение: до 10 В для минимального сопротивления канала.

Типовое использование

• Инверторы
• Источники питания
• Пускатели двигателя
• Прочие высоковольтные приложения

Рекомендации по применению

Рекомендуется использовать соответствующие радиаторы для отвода тепла при высоких токах и напряжениях, так как данный компонент может выделять значительное количество тепла при эксплуатации. Убедитесь в соблюдении всех предельно допустимых значений параметров для надежной и длительной работы компонента.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: n-канальный MOSFET
• Технология: MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 500 В
• Постоянный ток стока (Id) при 25°C: 60 А
• Управляющее напряжение (Vgs): до ±30 В
• Сопротивление канала (Rds(on)) при Id, Vgs: 50 мОм @ 30 А, 10 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot): 560 Вт
• Температура перехода (Tj): до 150 °C
• Корпус: MAX247™ (через отверстие)

Возможные аналоги

• IRFP260N от International Rectifier
• AP60T03GJ-HF от Advanced Power Electronics
• IXFH64N60Q3 от IXYS

Используйте STY60NM50 для создания надежных и эффективных высоковольтных систем и наслаждайтесь высокой производительностью, обеспечиваемой технологией компании STMicroelectronics.