STY139N65M5

8 160,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

STY139N65M5 от STMicroelectronics

Общее описание

STY139N65M5 — это мощный MOSFET транзистор с каналом N и технологией MDmesh™ V, специально разработанный для работы при высоких напряжениях до 650 В. Он обладает высокой производительностью, обеспечивая максимальный ток стока до 130 А и минимальное сопротивление открытого канала (Rds) всего 17 мОм. Этот транзистор выполнен в корпусе MAX247™, обеспечивающем эффективное рассеяние тепла и удобство монтажа.

Преимущества

  • Высокое напряжение сток-исток (Vds): до 650 В
  • Большой максимальный ток стока (Id): до 130 А, позволяющий управлять мощными нагрузками
  • Низкое сопротивление открытого канала (Rds): минимизирует потери энергии и нагрев
  • Технология MDmesh™ V: обеспечивает улучшенные характеристики переключения и высокую эффективность
  • Корпус MAX247™: обеспечивает надежное крепление и эффективное охлаждение

Недостатки

  • Высокая стоимость: из-за своих высоких характеристик и надежности транзистор может быть дороже аналогов
  • Размер корпуса: компоненты в корпусе MAX247™ могут занимать больше места на печатной плате по сравнению с компактными корпусами

Типовое использование

  • Блоки питания: импульсные источники питания (SMPS), инверторы
  • Промышленное оборудование: высоковольтные преобразователи, электромоторы
  • Энергетические приложения: системы управления мощностью, солнечные инверторы
  • Осветительные системы: для управления мощными светодиодными драйверами

Рекомендации по применению

  • Используйте подходящий радиатор или систему охлаждения для обеспечения эффективного теплового отведения
  • Обратите внимание на требования по драйву затвора, чтобы обеспечить правильные параметры при переключении
  • Тщательно проектируйте печатную плату с учетом всех требований к высоковольтным приложениям

Основные технические характеристики

  • Тип транзистора: MOSFET, канал N
  • Напряжение сток-исток (Vds): 650 В
  • Максимальный ток стока (Id): 130 A (при 25°C)
  • Сопротивление открытого канала (Rds): 17 мОм (при 65 A, Vgs=10 В)
  • Максимальное напряжение управляющего затвора (Vgs): ±25 В
  • Максимальная мощность рассеивания (Pd): 625 Вт
  • Максимальное рабочее температурное ограничение (Tj): 150°C
  • Корпус: MAX247™

Возможные аналоги

  • IRFB4227PBF от International Rectifier
  • APT34F60B от Microsemi
  • STW88N65M5 от STMicroelectronics

Этот мощный компонент оптимален для использования в высокоэффективных энергосистемах и промышленном оборудовании, обеспечивая надежную работу при высоких электрических нагрузках.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК