STY112N65M5

8 640,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

STY112N65M5 от STMicroelectronics

STY112N65M5 – это мощный n-канальный MOSFET транзистор от компании STMicroelectronics, обладающий высоким напряжением стока-истока (650 В) и выдерживающий значительные токи (до 96 А). Этот компонент идеально подходит для приложений, требующих высокую надежность и эффективность.

Общее описание

STY112N65M5 представляет собой n-канальный MOSFET транзистор, разработанный с использованием технологии MDmesh™ V, что обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии и высокую скорость переключения. Он монтируется в корпус MAX247™, что упрощает его установку и улучшает теплопередачу.

Преимущества

  • Высокое напряжение стока-истока: 650 В, что делает его подходящим для приложений с высоким напряжением.
  • Максимальный непрерывный ток: до 96 А, обеспечивая работу с большими нагрузками.
  • Низкое сопротивление в открытом состоянии: 22 мОм, что снижает потери мощности.
  • Высокая скорость переключения благодаря технологии MDmesh™ V.

Недостатки

  • Управляющее напряжение: Требуется напряжение управления (Vgs) до 10 В, что может потребовать дополнительных компонентов в схеме.
  • Диапазон рабочих температур: Ограничен температурой 150°C.

Типовое использование

  • Преобразователи мощности
  • Системы управления двигателями
  • Инверторные системы
  • Блоки питания для промышленного применения
  • Солнечные инверторы и UPS

Рекомендации по применению

  • Используйте подходящие радиаторы для эффективного отвода тепла, чтобы предотвратить перегрев.
  • Убедитесь в наличии надежной защиты от перенапряжений и перегрузок в схеме.
  • Подбирайте компоненты управления на основе требований Vgs транзистора.

Технические характеристики

  • Тип транзистора: n-канальный MOSFET
  • Напряжение сток-исток (Vdss): 650 В
  • Максимальный непрерывный ток (Id) при 25°C: 96 А
  • Заряд затвора (Qg) при 10 В: 350 нК
  • Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): ±25 В
  • Максимальная мощность рассеяния: 625 Вт
  • Корпус: MAX247™
  • Диапазон рабочих температур: до 150°C (Tj)

Возможные аналоги

  • IRFP460A от Infineon Technologies
  • IPB65R045CFD от Infineon Technologies
  • STB80NF10 от STMicroelectronics

Эти аналоги также обеспечивают высокую надежность и производительность в высоковольтных приложениях.

Используя STY112N65M5 в ваших проектах, вы получите высокоэффективный и надежный компонент, способный справляться с тяжелыми условиями эксплуатации.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК