STGSH80HB65DAG
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
IGBT Модуль STGSH80HB65DAG от STMicroelectronics
Общее описание
STGSH80HB65DAG - это высокопроизводительный IGBT модуль типа Half Bridge от компании STMicroelectronics. Он разработан для работы при высоких напряжениях и токах, обеспечивая высокую надежность и эффективность в энергетически насыщенных приложениях.
Преимущества
- Высокая производительность: Обеспечивает отличную коммутационную и проводящую способности.
- Компактная конструкция: Поверхностный монтаж в корпусе типа 9-ACEPACK SMIT позволяет экономить место на печатной плате.
- Высокая устойчивость к нагреву: Рабочая температура достигает 175°C, что делает его подходящим для тяжелых условий эксплуатации.
Недостатки
- Требует эффективного охлаждения: Высокая мощность (до 250 Вт) предполагает необходимость использования радиаторов или иной системы охлаждения для поддержания оптимальных рабочих условий.
Типовое использование
- Инверторы для солнечных батарей
- Приводы электрических двигателей
- Системы управления энергией
- Преобразователи энергии в промышленных установках
Рекомендации по применению
- Охлаждение: Учитывайте тепловой режим работы и обеспечьте адекватное охлаждение для предотвращения перегрева.
- Коммутационные помехи: Используйте экранирование и фильтры для минимизации воздействия электромагнитных помех.
- Контроль напряжения и тока: Обеспечьте использование соответствующих предохранителей и схем защиты для предотвращения перегрузок.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Конфигурация | Half Bridge |
| Максимальное напряжение коллектора (V) | 650 В |
| Максимальный ток коллектора (A) | 83 А |
| Максимальная мощность (Вт) | 250 Вт |
| Максимальное напряжение насыщения (V) | 2.1 В @ 15 В, 80 A |
| Входная емкость (пФ) | 10450 пФ @ 25 В |
| Температурный диапазон | -55°C до 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (Surface Mount) |
| Корпус | 9-ACEPACK SMIT |
Возможные аналоги
- IGBT Модуль FF900R12IE4 от Infineon Technologies
- IGBT Модуль CM100DX-24S от Mitsubishi Electric
- IGBT Модуль APTGT50SK170H от Microsemi Corporation
Пожалуйста, обратите внимание, что при выборе аналога необходимо учитывать все технические характеристики и требования конкретного применения.
Благодаря высоким эксплуатационным характеристикам, STGSH80HB65DAG является отличным выбором для широкого спектра энергозависимых приложений.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.
