STGIK10M120T

STGIK10M120T

Общее описание

STGIK10M120T — это высокоэффективный модуль IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) от STMicroelectronics, предназначенный для использования в трёхфазных инверторах. Модуль обеспечивает высокую производительность при максимальном токе в 10 А и напряжении 1200 В. Этот компонент оптимален для применения в мощных силовых установках, благодаря сочетанию низкого уровня потерь и высокой устойчивости к короткому замыканию.

Преимущества

• Высокая производительность: Обеспечивает эффективное управление мощностью при максимальном токе в 10 А.
• Низкая мощность потерь: Сниженные коммутационные и проводящие потери благодаря продвинутой технологии IGBT.
• Устойчивость к короткому замыканию: Высокая надежность и безопасность работы благодаря встроенной защите.
• Простота монтажа: Компактный корпус PowerDIP облегчает установку в различных системах.

Недостатки

• Требуемый теплоотвод: Необходимость использования теплоотвода для обеспечения стабильной работы при высоких токах.
• Требуется опытное обращение: Необходимы специальные знания для работы с высоковольтными компонентами.

Типовое использование

• Приводы для двигателей
• Инверторы для солнечных панелей и других источников возобновляемой энергии
• Системы управления мощностью
• Трехфазные инверторы

Рекомендации по применению

• Техническое обслуживание: Рекомендуется регулярное техническое обслуживание и проверки для обеспечения надежной работы.
• Теплоотвод: Необходимо устанавливать модуль на качественный теплоотвод для предотвращения перегрева и обеспечения стабильной работы.
• Защитные схемы: Включите в дизайн защиту от перенапряжения и короткого замыкания для увеличения надежности.

Основные технические характеристики

• Тип компонента: IGBT
• Конфигурация: Трехфазный инвертор
• Номинальный ток: 10 А
• Максимальное напряжение: 1200 В
• Корпус: 30-PowerDIP Module (35.90 мм x 1.413 дюйма)
• Электрическая изоляция: 2500 Vrms

Возможные аналоги

• Infineon: IKQ10N120H3
• Mitsubishi: CM10TF-24H
• Fuji Electric: 6MBI10GS-120
• Toshiba: MG50Q2YS50

Заключение

STGIK10M120T от STMicroelectronics — это надежный и высокоэффективный модуль IGBT, оптимально подходящий для применения в силовых установках и трехфазных инверторах. Благодаря своим техническим характеристикам и преимуществам, он является отличным выбором для широкого спектра приложений в электронике и электротехнике.