SMJ4464-12JDS

5 028,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

SMJ4464-12JDS от Texas Instruments

Общее описание

SMJ4464-12JDS — это динамическая оперативная память (DRAM) с организацией 64K x 4. Этот компонент обеспечивает высокую плотность памяти и надежность, что делает его идеальным для использования в разнообразных электронных системах, требующих устойчивой производительности в условиях повышенной надежности.

Преимущества

  • Высокая плотность памяти: Организация 64K x 4 обеспечивает значительный объем памяти для хранения данных.
  • Надежность: Произведен в соответствии с высокими стандартами качества и надежности, что делает его подходящим для военных и промышленных приложений.
  • Совместимость: Легко интегрируется в различные системы благодаря стандартному форм-фактору и интерфейсу.

Недостатки

  • Высокая задержка: Время доступа составляет 120 нс, что может быть недостаточно для высокоскоростных приложений.
  • Энергопотребление: Как и большинство DRAM, компонент потребляет значительное количество электроэнергии, что может быть значительным в системах с ограниченным энергопотреблением.

Типовое использование

  • Военные приложения: Высокая надежность делает этот компонент идеальным для использования в военной технике.
  • Промышленные системы: Подходит для использования в оборудовании, требующем высокой производительности и надежности.
  • Электронные системы общего назначения: Может использоваться в различных электронных системах для хранения данных и управления.

Рекомендации по применению

  • Контроль питания: Для обеспечения стабильной работы рекомендуется использовать стабилизированные источники питания.
  • Теплоотвод: Обеспечьте достаточное охлаждение для предотвращения перегрева и увеличения надежности компонента.
  • Защита от электромагнитных помех: Разместите компонент в защищенном корпусе для предотвращения воздействия электромагнитных помех.

Основные технические характеристики

  • Организация памяти: 64K x 4
  • Время доступа: 120 нс
  • Тип памяти: DRAM
  • Напряжение питания: 5 В
  • Интерфейс: Параллельный
  • Тип корпуса: DIP (Dual Inline Package)

Возможные аналоги

  • SMJ4464-15JDS: Имеет схожие характеристики, но отличается временем доступа — 150 нс.
  • HM50464P-12 от Hitachi: Также представляет собой 64K x 4 DRAM с временем доступа 120 нс и аналогичным интерфейсом.

SMJ4464-12JDS от Texas Instruments подходит для множества приложений, требующих высоконадежного хранения данных в условиях ограниченного пространства и повышенной надежности. Этот компонент отлично зарекомендовал себя в различных промышленных и военных системах, обеспечивая стабильно высокую производительность.

Описание товара

  • digikey: 2156-SMJ4464-12JDS-ND
  • Datasheet [2]: Перейти
  • ai2: ProductDescription: PAGE MODE DRAM, 64KX4, 120NS DetailedDescription: Status: Active Category: Texas Instruments; Rochester Electronics, LLC; Integrated Circuits (ICs); Memory; Controllers

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК