SH68N65DM6AG

МОП-транзистор SH68N65DM6AG от STMicroelectronics

Общее описание

SH68N65DM6AG – это автоуровневый МОП-транзистор N-типа с максимально допустимым напряжением на сток-истоке 650 В и максимальным непрерывным током дренажа 64 А. Транзистор выполнен в корпусе 9-ACEPACK SMIT, который оптимизирован для поверхностного монтажа и специально разработан для обеспечения высокой производительности в приложениях автомобильной промышленности.

Преимущества

• Высокое напряжение пробоя: 650 В, что позволяет использовать транзистор в высоковольтных приложениях.
• Высокая пропускная способность: Максимальный непрерывный ток дренажа 64 А при оптимальных условиях охлаждения.
• Низкое сопротивление в открытом состоянии: Обеспечивает минимальные потери мощности и высокую эффективность.

Недостатки

• Требования к охлаждению: Высокий ток и мощность могут требовать эффективного охлаждения для предотвращения перегрева.
• Чувствительность к статикам: Необходимо соблюдать меры предосторожности при установке и эксплуатации для предотвращения повреждений от электростатических разрядов.

Типовое использование

• Применительно в системах управления питанием для электромобилей и гибридных автомобилей.
• Высоковольтные преобразователи.
• Импульсные источники питания.
• Инверторы для возобновляемых источников энергии.

Рекомендации по применению

• Эффективное охлаждение: Использование подходящих радиаторов или систем охлаждения для предотвращения перегрева.
• Защита от перегрузок: Реализовать схемы защиты от перенапряжения и перегрузки по току.
• Предупреждение электростатических разрядов: Соблюдайте меры предосторожности при работе с транзистором для предотвращения повреждений.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 650 В
• Максимальный ток стока (Id): 64 А при температуре 25°C
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 35 мОм при Id=23A, Vgs=10V
• Пороговое напряжение (Vgs(th)): Максимум 4,75 В при Id=250 µA
• Максимальная рабочая температура (Tj): −55°C до 150°C
• Корпус: 9-ACEPACK SMIT

Возможные аналоги

• IPW65R095CFD: От Infineon, с аналогичными напряжением и током.
• APT100GN60B: От Microsemi, с похожими рабочими характеристиками, но с различным корпусом.
• STW68N65DM6: Вариант от того же производителя STMicroelectronics, но в другом форм-факторе.

Используйте SH68N65DM6AG от STMicroelectronics для высоконадежных и эффективных решений в автомобильной и энергетической отраслях.