SH63N65DM6AG

SH63N65DM6AG от STMicroelectronics

Общее описание

SH63N65DM6AG от STMicroelectronics — это мощный N-канальный MOSFET транзистор с рабочим напряжением 650 В и номинальным постоянным током 53 А. Это новейшее устройство серии MDmesh DM6, предназначенное для использования в мощных преобразовательных приложениях, приводах, а также в автомобильной и промышленной электронике.

Преимущества

• Высокая эффективность: Благодаря передовой технологии MDmesh DM6, транзистор обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)), что способствует минимальным потерям мощности.
• Надежность и долговечность: Устройство обладает широким диапазоном рабочих температур от -55°C до 150°C, что обеспечивает стабильную работу в различных условиях.
• Компактность: Пакет 9-ACEPACK SMIT обеспечивает удобное поверхностное крепление и экономию пространства на плате.

Недостатки

• Высокое напряжение пробоя: Для приложений с низкими напряжениями данный MOSFET может быть избыточным.
• Тепловыделение: При максимальной нагрузке может потребоваться дополнительное охлаждение.

Типовое использование

• Инверторы и преобразователи
• Схемы управления двигателями
• Приложения в автомобильной и промышленной электронике
• Высоковольтные блоки питания

Рекомендации по применению

• Охлаждение: При использовании в условиях высоких мощностей рекомендуется обеспечить хороший теплоотвод.
• Защита от перенапряжений: Для предотвращения повреждений следует предусмотреть схемы защиты от перенапряжения.
• Правильный монтаж: Убедитесь в правильном монтаже устройства для обеспечения надежного контакта и минимального сопротивления соединений.

Основные технические характеристики

• Конфигурация: 2 N-канальных (Half Bridge)
• Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 650 В
• Номинальный постоянный ток (Id) @ 25°C: 53 А (Tc)
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 64 мОм @ 23 А, 10 В
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 4,75 В @ 250 мкА
• Заряд затвора (Qg): 80 нКл @ 10 В
• Входная емкость (Ciss): 3344 пФ @ 100 В
• Максимальная рассеиваемая мощность: 424 Вт (Tc)
• Рабочая температура: от -55 °C до 150 °C (Tj)
• Тип корпуса: 9-ACEPACK SMIT

Возможные аналоги

• IRFB4620PBF от Infineon
• IPP65R045C7 от Infineon
• NTMFS5C450NL от ON Semiconductor

Этот MOSFET транзистор идеально подходит для высокомощных приложений, предлагая высокую эффективность и надежность, при этом занимая минимальное пространство на плате.