SD2942W

37 440,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

SD2942W от STMicroelectronics

Общее описание

RF MOSFET SD2942W – это высокоэффективный полевой транзистор с МОП-структурой (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor), предназначенный для работы в радиочастотных (RF) приложениях. Этот компонент используется в усилителях мощности для телекоммуникационного оборудования, радиопередающих устройств и других систем, требующих высокой мощности на выходе.

Преимущества

  • Высокая мощность: Выходная мощность до 350 Вт.
  • Высокий коэффициент усиления: Коэффициент усиления до 17 дБ.
  • Превосходная надежность: Мощная структура MOSFET с низким уровнем разрушающей индуктивности.
  • Высокая линейность: Обеспечивает стабильную и точную работу в широком диапазоне частот до 175 МГц.
  • Высокая эффективность: Высокий КПД для минимизации потерь энергии.

Недостатки

  • Эффективное теплоотведение: Необходимость в качественной системе охлаждения для поддержания рабочего режима при высокой мощности.
  • Высокая цена: Стоимость данного компонента может быть выше по сравнению с другими низкомощными транзисторами.

Типовое использование

  • ВЧ-усилители мощности для телекоммуникационных станций
  • Радиопередатчики и радиочастоты
  • Усилители для вещательных и профессиональных аудиосистем
  • RF-системы сотовой связи
  • Импульсные передатчики

Рекомендации по применению

  • Обеспечьте надежное охлаждение транзистора для предотвращения перегрева.
  • Используйте соответствующие схемы защиты от перенапряжения, чтобы избежать повреждений.
  • Проводите тестирование в реальных рабочих условиях для проверки согласования входного и выходного импеданса.

Основные технические характеристики

  • Технология: MOSFET
  • Конфигурация: N-канал
  • Частота: До 175 МГц
  • Коэффициент усиления: 17 дБ
  • Тестовое напряжение: 50 В
  • Ток: 40 А
  • Выходная мощность: 350 Вт
  • Номинальное напряжение: 130 В
  • Корпус: M244

Возможные аналоги

  • MRF151G (NXP Semiconductors): Высокочастотный MOSFET-транзистор.
  • BLF278 (Ampleon): Высокомощный LDMOS-транзистор для радиочастотных приложений.
  • MRF157 (NXP Semiconductors): Высокоэффективный RF MOSFET-транзистор.

Используя SD2942W в вашем проекте, вы получите высокомощный, надежный и эффективный компонент, идеально подходящий для различных радиочастотных приложений.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК