SCTWA90N65G2V

8 640,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

SCTWA90N65G2V от STMicroelectronics

Общее описание

SCTWA90N65G2V — это высокопродуктивный, кремниевый карбидный (SiC) MOSFET транзистор N-канального типа от STMicroelectronics с напряжением пробоя 650 В и допустимым током до 119 А. Этот компонент разработан специально для применения в мощных преобразователях и инверторах, где требуется высокая эффективность и надежность.

Преимущества

  • Высокая скорость переключения: Улучшенная эффективность и снижение потерь.
  • Низкое сопротивление Rds(on): Меньшее рассеяние тепла и улучшенная энергетическая эффективность.
  • Высокая термическая стабильность: Рабочая температура до 200°C.
  • Устойчивость к радиации: Подходит для применения в жестких условиях.

Недостатки

  • Высокая стоимость: Использование кремниевого карбида увеличивает стоимость по сравнению с традиционными МОП-транзисторами на основе кремния.
  • Требовательность к драйверу: Необходимы специальные драйверы для управления SiC-MOSFET.

Типовое использование

  • Силовые преобразователи
  • Инверторы солнечных панелей
  • Автомобильные приложения
  • Индукционные нагреватели
  • Высокочастотные блоки питания

Рекомендации по применению

  • Используйте драйверы, специально предназначенные для управления SiC-MOSFET транзисторами.
  • Обеспечьте адекватное охлаждение и тепловое управление для поддержания температуры в пределах допустимых значений.
  • Проверьте совместимость с другими компонентами схемы для избежания взаимных помех и перегрузок.

Основные технические характеристики

  • Тип транзистора: N-канальный, кремниевый карбид (SiC).
  • Напряжение пробоя (Vdss): 650 В
  • Максимальный ток (Id) при 25°C: 119 А (Tc)
  • Максимальное сопротивление Rds(on) при Id, Vgs: 24 мОм @ 50 А, 18 В
  • Максимальное зарядовое напряжение затвора (Vgs): +22 В, -10 В
  • Максимальная мощность рассеивания: 565 Вт (Tc)
  • Рабочая температура (Tj): -55°C до 200°C
  • Корпус: TO-247 Long Leads
  • Тип монтажа: Сквозное отверстие (Through Hole)

Возможные аналоги

  • C3M0065090D от Cree/Wolfspeed
  • 900V CoolMOS™ PFD7 от Infineon Technologies
  • IMZ120R045M1 от Infineon Technologies

Компонент SCTWA90N65G2V представляет собой надежный и производительный выбор для применения в мощных и высокочастотных электрических схемах, обеспечивая отличную эффективность и термическую стабильность.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК