SCTWA90N65G2V
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
SCTWA90N65G2V от STMicroelectronics
Общее описание
SCTWA90N65G2V — это высокопродуктивный, кремниевый карбидный (SiC) MOSFET транзистор N-канального типа от STMicroelectronics с напряжением пробоя 650 В и допустимым током до 119 А. Этот компонент разработан специально для применения в мощных преобразователях и инверторах, где требуется высокая эффективность и надежность.
Преимущества
- Высокая скорость переключения: Улучшенная эффективность и снижение потерь.
- Низкое сопротивление Rds(on): Меньшее рассеяние тепла и улучшенная энергетическая эффективность.
- Высокая термическая стабильность: Рабочая температура до 200°C.
- Устойчивость к радиации: Подходит для применения в жестких условиях.
Недостатки
- Высокая стоимость: Использование кремниевого карбида увеличивает стоимость по сравнению с традиционными МОП-транзисторами на основе кремния.
- Требовательность к драйверу: Необходимы специальные драйверы для управления SiC-MOSFET.
Типовое использование
- Силовые преобразователи
- Инверторы солнечных панелей
- Автомобильные приложения
- Индукционные нагреватели
- Высокочастотные блоки питания
Рекомендации по применению
- Используйте драйверы, специально предназначенные для управления SiC-MOSFET транзисторами.
- Обеспечьте адекватное охлаждение и тепловое управление для поддержания температуры в пределах допустимых значений.
- Проверьте совместимость с другими компонентами схемы для избежания взаимных помех и перегрузок.
Основные технические характеристики
- Тип транзистора: N-канальный, кремниевый карбид (SiC).
- Напряжение пробоя (Vdss): 650 В
- Максимальный ток (Id) при 25°C: 119 А (Tc)
- Максимальное сопротивление Rds(on) при Id, Vgs: 24 мОм @ 50 А, 18 В
- Максимальное зарядовое напряжение затвора (Vgs): +22 В, -10 В
- Максимальная мощность рассеивания: 565 Вт (Tc)
- Рабочая температура (Tj): -55°C до 200°C
- Корпус: TO-247 Long Leads
- Тип монтажа: Сквозное отверстие (Through Hole)
Возможные аналоги
- C3M0065090D от Cree/Wolfspeed
- 900V CoolMOS™ PFD7 от Infineon Technologies
- IMZ120R045M1 от Infineon Technologies
Компонент SCTWA90N65G2V представляет собой надежный и производительный выбор для применения в мощных и высокочастотных электрических схемах, обеспечивая отличную эффективность и термическую стабильность.
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.