SCTWA50N120

MOSFET SCTWA50N120 от STMicroelectronics

Описание:
STMicroelectronics SCTWA50N120 — это мощный N-канальный MOSFET, выполненный по технологии SiCFET (карбид кремния). Он имеет высокий допустимый напряжением сток-исток (Vdss) в 1200 В и способен выдерживать постоянный ток дренажа (Id) до 65 А при температуре корпуса 25°C. Разработанный для применения в высоковольтных преобразователях и инверторах, этот транзистор подходит для использования в цепях силовой электроники, таких как инверторы солнечных батарей, электромобили, источник питания с коррекцией коэффициента мощности (PFC), и любые приложения, требующие высокой эффективности и надежности.

Преимущества:

• Высокое напряжение: 1200 В, подходящее для широкого диапазона высоковольтных приложений.
• Высокая проводимость: поддерживает ток до 65 А при низком сопротивлении Rds(on).
• Низкие потери на переключение: благодаря превосходным характеристикам SiC технологии.
• Термическая стойкость: работа при температуре от -55°C до 200°C (TJ).
• Надёжный корпус: HiP247™ для эффективного отвода тепла и простоты монтажа.

Недостатки:

• Высокая стоимость: как и многие компоненты на основе карбида кремния.
• Сложность управления: требует четкого управления затвором из-за высокого напряжения открытия.

Типовое использование:

• Инверторы в солнечных и ветровых установках.
• Электромобильные зарядные станции и инверторы.
• UPS и источники питания.
• Коммутационные источники питания (SMPS).
• Различные приложения силовой электроники.

Рекомендации по применению:

• Обеспечьте надежный отвод тепла для оптимальной работы устройства.
• Используйте драйвер затвора, способный обеспечить высокие и низкие импульсы, необходимые для переходовых процессов SiC MOSFET.
• Учитывайте специфику высоковольтных схем и изоляцию безопасного расстояния при проектировании платы.

Технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Технология: SiCFET (карбид кремния)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В
• Постоянный ток дренажа (Id) @ 25°C: 65 А
• Сопротивление Rds(on) (макс): 69 мОм @ 40А, 20В
• Заряд затвора (Qg) (макс): 122 нКл @ 20 В
• Пиковое напряжение Vgs: +25 В, -10 В
• Тип упаковки/корпус: HiP247™
• Максимальная мощность рассеивания (Pd): 318 Вт (Tc)
• Диапазон рабочих температур (Tj): -55°C до 200°C

Возможные аналоги:

• C2M0080120D от Cree.
• APT50M120JB от Microsemi.
• G3R15MT12D от GeneSiC.

MOSFET SCTWA50N120 от STMicroelectronics — это высококачественный компонент, обеспечивающий надежность и эффективность в критичных силовых приложениях. Надеемся, что данное описание поможет вам принять правильное решение о покупке и применении этого устройства в ваших проектах.