SCTW70N120G2V

SCTW70N120G2V от STMicroelectronics

Общее описание:

STMicroelectronics SCTW70N120G2V – это силевой MOSFET-транзистор на базе карбида кремния (SiC) с N-каналом, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых приложений. Он имеет максимальное напряжение сток-исток (Vds) 1200 В и максимальный непрерывный ток стока (Id) 91 А. Транзистор выполнен в корпусе HiP247™, что обеспечивает отличные показатели теплового управления.

Преимущества:

• Высокое напряжение и ток: Позволяет работать с высокими нагрузками и напряжениями, обеспечивая надежность и долговечность.
• Низкие потери: Благодаря малому сопротивлению в открытом состоянии (Rds(on)) всего 30 мОм.
• Улучшенная термическая характеристика: Корпус HiP247™ обеспечивает эффективное теплоотведение.
• Высокая частота переключения: Обеспечивает высокую эффективность в приложениях с переключениями.

Недостатки:

• Повышенная стоимость: Композиты на базе карбида кремния обычно дороже по сравнению с традиционными MOSFET на базе кремния.
• Сложности в управлении: Требуются специализированные драйверы затвора для оптимального управления.

Типовое использование:

• Инверторы для солнечных панелей и энергетические преобразователи
• Силовые источники питания
• Преобразователи частоты
• Зарядные устройства для электромобилей

Рекомендации по применению:

• Обеспечьте надежное охлаждение транзистора с использованием подходящих радиаторов и, если необходимо, дополнительного активного охлаждения.
• Подберите подходящие драйверы затвора для управления этим SiC MOSFET.
• Следите за допустимыми диапазонами напряжений и температур для предотвращения выхода из строя.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канал
• Технология: SiCFET (карбид кремния)
• Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 1200 В
• Максимальный непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 91 А
• Минимальное сопротивление сток-исток (Rds(on)): 30 мОм @ 50А, 18В
• Максимальный пороговый уровень Vgs(th): 4.9 В @ 1мА
• Заряд затвора (Qg): 150 нКл @ 18 В
• Максимальное напряжение на затворе (Vgs): +22 В, -10 В
• Входная емкость (Ciss): 3540 пФ @ 800 В
• Рассеиваемая мощность (Pd): 547 Вт
• Температурный диапазон работы: -55°C ~ 200°C (TJ)
• Тип монтажа: Сквозной
• Корпус / упаковка: HiP247™

Возможные аналоги:

• C3M0120100D (Wolfspeed)
• SCT3120AL (ROHM Semiconductor)
• APT10025B2C3 (Microsemi)

Это описание позволит вашим клиентам получить полное представление о компонентах SCTW70N120G2V и их применении.