SCTW40N120G2VAG от STMicroelectronics

Общее описание

SCTW40N120G2VAG – это мощный полевой транзистор (MOSFET) с каналом типа N, выполненный с использованием технологии карбида кремния (SiC). Этот транзистор способен работать при высоких напряжениях и токах, что делает его идеальным для использования в приложениях с высокими требованиями к мощности и эффективности.

Преимущества

• Высокое напряжение пробоя: До 1200 В, что позволяет использовать компонент в высоковольтных приложениях.
• Высокая токовая емкость: Постоянный ток в 33 А при 25°C.
• Низкий Rds(on): Это снижает тепловыделение и повышает эффективность.
• Повышенная надежность: Обеспечивается благодаря использованию SiC-технологии, позволяющей устройство работать при высоких температурах и сокращающей тепловые потери.
• Автомобильная квалификация: Соответствие стандарту AEC-Q101.

Недостатки

• Стоимость: Стоимость транзисторов на основе карбида кремния обычно выше по сравнению с классическими кремниевыми компонентами.
• Сложность использования: Требует тщательной инженерной проработки системы управления для обеспечения оптимальной работы и длительного срока службы.

Типовое использование

• Инверторы и преобразователи: Преобразование энергии в солнечных и ветровых установках.
• Силовая электроника: Высоковольтные и высокотоковые приложения, такие как электроприводы.
• Автомобильная электроника: Применяется в системах управления двигателем и преобразователях для электрических и гибридных автомобилей.
• Бесперебойные источники питания (UPS): Обеспечивает надежное и эффективное преобразование энергии.

Рекомендации по применению

• Используйте подходящие радиаторы для обеспечения должного охлаждения и поддержания температуры в пределах допустимых значений.
• Обратите внимание на правильное подключение драйвера затвора, чтобы избежать проблем с переключением.
• Рекомендуется проводить симуляции и проверки на соответствие тепловым режимам, чтобы гарантировать надежность и эффективность.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный, SiC FET
• Напряжение сток-исток (Vds): 1200 В
• Постоянный ток стока (Id) при 25°C: 33 А
• Сопротивление сток-исток (Rds(on)) при Id, Vgs: 105 мОм при 20 А, 18 В
• Пороговое напряжение (Vgs(th)) Max: 5 В при 1 мА
• Максимальное напряжение затвора (Vgs): +22 В, -10 В
• Заряд затвора (Qg) Max при Vgs: 63 нК при 18 В
• Максимальная рассеиваемая мощность: 290 Вт при Tj
• Температура эксплуатации: -55°C ~ 200°C (Tj)
• Тип корпуса: HiP247™

Возможные аналоги

• C2M0080120D от Wolfspeed
• SCT3040KLGC11 от ROHM Semiconductor

Эти аналоги могут различаться по стоимости, доступности и некоторым параметрам, поэтому важно тщательно изучить их спецификации перед выбором.

Для получения дополнительной информации и заказа, посетите наш интернет-магазин.