SCTH90N65G2V-7

SCTH90N65G2V-7 от STMicroelectronics

Общее описание

SCTH90N65G2V-7 представляет собой мощный полевой транзистор (SiC MOSFET) типа N-канал от производителя STMicroelectronics. Данный компонент отличается высокой эффективностью и надежностью благодаря использованию карбида кремния (SiC), что обеспечивает улучшенные тепловые характеристики и снижение потерь при переключении.

Преимущества

• Высокая эффективность: Использование технологии SiC позволяет значительно снижать тепловые потери.
• Высокая температурная стойкость: Рабочая температура до 175°C улучшает надежность и долговечность.
• Высокая выдерживаемая мощность: Компонент способен развеять до 330 Вт мощности, что позволяет использовать его в мощных приложениях.
• Низкое сопротивление в открытом состоянии: Минимальное сопротивление (Rds(on)) в 26 мОм позволяет снижать потери энергии.

Недостатки

• Высокий ценовой сегмент: Компоненты на основе SiC, как правило, стоят дороже, чем традиционные кремниевые MOSFET.
• Управление затвором: Требуются высокие управляющие напряжения для максимальной производительности.

Типовое использование

• Высокочастотные импульсные источники питания (SMPS): Высокая эффективность и стойкость к температуре делают этот компонент идеальным для таких приложений.
• Инверторы для солнечных панелей и электромобилей: Способность работать при высоких температурах и напряжеях делает этот MOSFET идеальным выбором.
• Промышленные источники питания: Включая моторные приводы и сварочные аппараты.

Рекомендации по применению

Для оптимальной производительности и долговечности, рекомендуется обратить внимание на соблюдение всех электрических и тепловых параметров. Также важно использовать качественные радиаторы или другие системы отвода тепла для предотвращения перегрева компонента.

Основные технические характеристики

• Тип: N-канальный SiC MOSFET
• Максимальное напряжение: 650 В
• Ток стока: 90 А при 25°C
• Максимальное сопротивление: 26 мОм при 50А и 18V
• Заряд затвора: 157 нК при 18В
• Максимальное напряжение затвора: +22В, -10В
• Пиковая рассеиваемая мощность: 330 Вт (Tc)
• Рабочая температура: от -55°C до +175°C
• Корпус: H2PAK-7

Возможные аналоги

Если вам нужен компонент с подобными характеристиками, но из другой серии или производителя, рассмотрите следующие аналоги:

• C3M0075120K от Cree
• SCT3030AL от ROHM
• IPB65R190C7 от Infineon Technologies

Этот высокопроизводительный компонент способен удовлетворить потребности самых требовательных приложений благодаря своим улучшенным характеристикам и надежности.