SA2T18H450W19SR6 от NXP

Общее описание

SA2T18H450W19SR6 – это высокочастотный (RF) LDMOS транзистор, разработанный компанией NXP Semiconductors. Он предназначен для усиления в диапазоне частот от 1805 до 1880 МГц и обладает высокой выходной мощностью до 45 Вт. Этот транзистор подходит для использования в базовых станциях сотовой связи, включая стандарты GSM, WCDMA и LTE.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: Транзистор способен обеспечить мощность до 45 Вт, что делает его идеальным для использования в базовых станциях и других высокомощных передачах.
• Широкий диапазон рабочих частот: Поддерживает частоты от 1805 до 1880 МГц, что подходит для различных приложений беспроводной связи.
• Высокий коэффициент усиления: Обеспечивает высокий коэффициент усиления, что улучшает общую производительность системы усиления сигнала.
• Высокая надежность: Производство NXP гарантирует высокую надежность и долговечность изделия.

Недостатки

• Требуется хорошее тепловое управление: Из-за высокой выходной мощности, транзистор требует эффективного охлаждения и теплового управления.
• Специфичность применения: Ограничен областью применения в диапазоне частот 1805-1880 МГц, что может не подойти для других диапазонов.

Типовое использование

• Базовые станции сотовой связи (GSM, WCDMA, LTE)
• Усиление сигналов в телекоммуникационных приложениях
• Промышленные и профессиональные радиосистемы

Рекомендации по применению

• Термическое управление: Обеспечьте качественное охлаждение транзистора для поддержания его работоспособности и увеличения срока службы.
• Использование в пределах спецификаций: Соблюдайте все рекомендованные электрические и эксплуатационные параметры, указанные в технической документации.
• Стабилизация напряжения питания: Обеспечьте стабильное и чистое питание для минимизации шума и максимальной производительности.

Основные технические характеристики

• Диапазон частот: 1805 - 1880 МГц
• Выходная мощность: до 45 Вт
• Коэффициент усиления: 19 дБ
• Рабочее напряжение: 28 В
• Корпус: SOT1121

Возможные аналоги

• MRFE6VP8600HR6 от NXP — аналог, подходящий для приложений с большими выходными мощностями в более широких диапазонах частот.
• BLF888E от Ampleon — высокоэффективный транзистор с выходной мощностью до 120 Вт, подходящий для аналогичных применений.

Использование транзистора SA2T18H450W19SR6 позволяет обеспечить высокую производительность и надежность радиочастотных усилителей в области беспроводной связи.