S29GL01GT11DHB020

5 040,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

S29GL01GT11DHB020 от Infineon

Общее описание

S29GL01GT11DHB020 — это микросхема FLASH-памяти типа NOR с емкостью 1 Гбит от компании Infineon. Этот компонент предназначен для использования в устройствах с высокими требованиями к надежности хранения данных и быстрому доступу к памяти. Микросхема поставляется в корпусе FBGA с 64 выводами (9x9 мм), что делает ее подходящей для поверхностного монтажа.

Преимущества

  • Большая емкость: 1 Гбит памяти для хранения данных.
  • Высокая скорость доступа: Время доступа составляет 110 нс.
  • Широкий диапазон рабочих температур: От -40°C до +105°C, что делает компонент подходящим для автомобильных и промышленных приложений.
  • Надежное хранение данных: Благодаря архитектуре NOR, данные остаются ненарушенными при отсутствии питания.

Недостатки

  • Требуется параллельный интерфейс: Потребуются дополнительные линии на печатной плате для подключения.
  • Размер корпуса: Хотя FBGA корпус обеспечивает компактность, его использование требует точного монтажа и оборудования для поверхностного монтажа.

Типовое использование

  • Автомобильная электроника: Для хранения прошивок и конфигурационных данных.
  • Промышленные приложения: В устройствах управления и системах мониторинга.
  • Портативная электроника: Смартфоны, планшеты, навигационные устройства.
  • Сетевые устройства: Маршрутизаторы, коммутаторы и другие коммуникационные устройства.

Рекомендации по применению

  • Обеспечение стабильного питания: Поддерживайте напряжение питания в пределах 2.7В ~ 3.6В для надежной работы.
  • Учтите тепловыделение: При проектировании учитывайте, что микросхеме нужно обеспечить хорошее охлаждение, особенно при максимальном нагрузке.
  • Оптимизация схемы: Разместите развязочные конденсаторы максимально близко к выводам питания микросхемы для минимизации шумов.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: FLASH - NOR
  • Емкость: 1 Гбит (128М x 8)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время записи: 60 нс (цикл записи на слово/страницу)
  • Время доступа: 110 нс
  • Напряжение питания: 2.7В ~ 3.6В
  • Рабочий температурный диапазон: -40°C ~ 105°C
  • Корпус: 64-FBGA (9x9 мм)
  • Квалификация: AEC-Q100 (автомобильная)

Возможные аналоги

  • MX29GL01GTI-11G от Macronix
  • M29W160EB от STMicroelectronics

Заключение

S29GL01GT11DHB020 от Infineon — это надежная и высокопроизводительная микросхема FLASH-памяти типа NOR, подходящая для использования в автомобиле, промышленности и других областях, требующих высокой надежности и быстрого доступа к данным.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК