S26KS512SDPBHM020 от Infineon

Общее описание

S26KS512SDPBHM020 — это 512-Мбитный NOR Flash-память от Infineon Technologies, предназначенная для высокопроизводительных приложений. Изделие выполнено в корпусе FBGA с 24 выводами (6x8 мм) и поддерживает параллельный интерфейс. Основное преимущество данного компонента — высокая скорость доступа и надежность хранения данных, что делает его отличным выбором для разнообразных приложений в автомобилестроении и промышленности.

Преимущества

• Высокая скорость доступа: Время доступа составляет 96 наносекунд, что позволяет обеспечить быструю работу приложений.
• Надежность: Технология NOR Flash обеспечивает долговременное хранение данных, устойчивость к ошибкам и высокую надежность.
• Автомобильный стандарт: Соответствие стандарту AEC-Q100 гарантирует высокое качество и долговечность в автомобильных приложениях.
• Широкий диапазон рабочих температур: Подходит для применения в условиях экстремальных температур (от -40°C до 125°C).

Недостатки

• Ограниченный объем памяти: 512 Мбит может быть недостаточно для некоторых высокоёмких приложений.
• Напряжение питания: Ограниченный диапазон напряжения питания (1.7В ~ 1.95В) может ограничивать возможность использования в некоторых системах.

Типовое использование

• Автомобильные системы: Подходит для использования в автомобильных информационно-развлекательных системах, системах управления двигателем и системах помощи водителю.
• Промышленные приложения: Может использоваться в системах управления производственными процессами и оборудовании с высоким уровнем надежности.
• Электронные устройства общего назначения: Хорошо подходит для встраиваемых систем, требующих быстрого доступа к данным и высокой надежности хранения информации.

Рекомендации по применению

• Монтаж: Компонент рассчитан на поверхностный монтаж (Surface Mount).
• Кондиционирование: Следует соблюдать рекомендуемые условия паяния и хранения для поддержания надежности соединений.
• Тестирование: Перед массовым использованием рекомендуется провести тестирование в условиях, максимально приближенных к рабочим условиям вашего устройства.

Технические характеристики

• Тип памяти: Non-Volatile, FLASH - NOR
• Объем памяти: 512 Мбит
• Организация памяти: 64M x 8
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Частота тактового сигнала: до 166 МГц
• Время доступа: 96 нс
• Напряжение питания: 1.7В ~ 1.95В
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
• Класс: Автомобильный (AEC-Q100)
• Корпус: 24-FBGA (6x8 мм)

Возможные аналоги

• S29GL512S10TFI010 от Cypress Semiconductor
• MT28EW512ABBWP-12 AIT TR от Micron Technology
• W29GL512SVEIV от Winbond Electronics

Этот компонент подойдет для использования в проектах, требующих высокой скорости доступа к памяти и надежности, особенно в экстремальных условиях.