RF5L15120CB4

RF5L15120CB4 от STMicroelectronics

Общее описание

RF5L15120CB4 – это радиочастотный полевой транзистор на основе LDMOS технологии, разработанный компанией STMicroelectronics. Данный компонент предназначен для работы в диапазоне частот от высоких частот (HF) до 1.5 ГГц и обеспечивает выходную мощность до 120 Вт при напряжении питания 50 В.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: 120 Вт, что позволяет использовать его в мощных радиопередатчиках.
• Высокий коэффициент усиления: 20 дБ, что улучшает эффективность передачи сигнала.
• LDMOS технология: Обеспечивает высокую надежность и производительность при работе на высоких частотах.
• Высокая термостабильность: Благодаря разработанному корпусу и технологии, стабильно работает в широком диапазоне температур.

Недостатки

• Требования к охлаждению: Для поддержания максимальной производительности требуется эффективное охлаждение.
• Стоимость: Может быть выше по сравнению с менее мощными или более простыми RF транзисторами.

Типовое использование

• Радиочастотные усилители мощности
• Передатчики в системах связи
• Базовые станции сотовой связи
• Мощные радиопередатчики различного назначения

Рекомендации по применению

• Необходимо обеспечить адекватное тепловыделение при работе с максимальной мощностью.
• Регулярно проверяйте охлаждающие элементы для предотвращения перегрева.
• Используйте коаксиальные кабели и разъемы, соответствующие рабочей частоте для минимизации потерь сигнала.

Основные технические характеристики

• Частотный диапазон: до 1.5 ГГц
• Выходная мощность: до 120 Вт
• Коэффициент усиления (Gain): 20 дБ
• Напряжение питания (Vds): 50 В
• Ток (Id): 100 мА при условии тестирования
• Рассеиваемая мощность (Pd): 95 Вт

Возможные аналоги

• BLF647 от Ampleon
• MRF151G от NXP
• PTFB211501 от Infineon

Для дальнейшего уточнения данных и технической документации, рекомендуем обратиться к официальному сайту производителя STMicroelectronics.