RF5L08350CB4

RF5L08350CB4 от STMicroelectronics

Общее описание

RF5L08350CB4 - это мощный полевой транзистор LDMOS, предназначенный для работы в РЧ-диапазоне. Этот компонент оптимизирован для применения в связи с высокими аппаратными требованиями к мощности и частоте, предлагая отличную надежность и производительность.

Преимущества

• Высокая мощность: Выходная мощность до 400 Вт обеспечивает широкий спектр применений в высокомощном радиооборудовании.
• Широкий диапазон частот: Поддерживает рабочую частоту до 1 ГГц.
• Высокая производительность усиления: предлагает усиление до 19 дБ.
• Низкий уровень искажений: Подходит для применения в системах с высокими требованиями к чистоте сигнала.
• Удобство монтажа: Корпус B4E обеспечивает удобство монтажа на шасси.

Недостатки

• Высокое тепловыделение: Требуется продуманная система рассеивания тепла.
• Высокое рабочее напряжение: Требуются дополнительные меры предосторожности при работе с напряжением до 50 В, чтобы избежать повреждений и обеспечения безопасности.

Типовое использование

• Радиочастотные усилители мощности
• Базовые станции мобильной связи
• Радиолокационные системы
• Радиочастотные передатчики высокой мощности

Рекомендации по применению

• Теплоотвод: Рекомендуется использовать качественный и адекватный теплоотвод для эффективного управления теплом, выделяемым компонентом.
• Защита от перегрузок: Использование предохранителей и защитных схем поможет предотвратить случайное повреждение устройства.
• Стабилизация напряжения: Для достижения оптимальной производительности важно обеспечить стабильное питание в пределах допустимых значений.

Основные технические характеристики

• Тип: LDMOS
• Максимальная частота: 1 ГГц
• Усиление: 19 дБ
• Рабочее напряжение: 50 В
• Тестовый ток: 200 мА
• Выходная мощность: до 400 Вт
• Корпус: B4E

Возможные аналоги

• MRF6V2300N от NXP Semiconductors
• BLF574 от Ampleon
• MRF151G от STMicroelectronics

Этот мощный и надежный RF MOSFET идеально подходит для использования в высокопроизводительных радиоэлектронных устройствах и системах, где требуются высокая мощность и надежность.