RF3L05250CB4

37 440,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

RF3L05250CB4 от STM

Общее описание

RF3L05250CB4 – это высокоэффективный LDMOS-транзистор сверхвысокочастотного (СВЧ) диапазона, разработанный компанией STMicroelectronics. Этот транзистор предназначен для усиления сигналов в диапазоне до 1 ГГц и обладает выходной мощностью до 250 Вт. Представляет собой идеальное решение для множества приложений в области радиочастотной электроники, особенно там, где требуется высокая мощность и надежность.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: до 250 Вт, что делает его подходящим для мощных RF-приложений.
  • Низкий ток утечки: обеспечивает высокую эффективность и надежность работы.
  • Высокая усилительная способность: значение усиления 18 дБ.
  • Стабильность и надежность: конструктивные особенности обеспечивают длительный срок службы и стабильное функционирование в различных условиях.

Недостатки

  • Высокая стоимость: компоненты для высокочастотных приложений могут быть дороже обычных MOSFET.
  • Требует профессиональных навыков для работы: нужна соответствующая квалификация для проектирования и применения в схемах.

Типовое использование

  • Усилители мощности радиочастоты (RF Power Amplifiers)
  • Базовые станции сотовой связи
  • Радиопередатчики
  • Коммуникационное оборудование

Рекомендации по применению

  • Используйте соответствующие механизмы теплоотвода для предотвращения перегрева и обеспечения долговечной работы.
  • Следите за правильной настройкой напряжения и тока для достижения наилучших параметров производительности.
  • Рекомендуется использовать защитные цепи для предотвращения выхода из строя при перепадах напряжения.

Основные технические характеристики

  • Технология: LDMOS
  • Частота: до 1 ГГц
  • Коэффициент усиления (Gain): 18 дБ
  • Тестовое напряжение: 28 В
  • Ток утечки: 1 мкА
  • Рабочий ток: 100 мА
  • Выходная мощность: 250 Вт
  • Максимальное напряжение: 90 В
  • Тип монтажа: На корпус (Chassis Mount)
  • Корпус (Package / Case): LBB
  • Пакет поставщика: LBB

Возможные аналоги

  • MRFE6VP61K25H от NXP Semiconductors
  • BLF578XR от Ampleon
  • MRF6VP21KHR от NXP Semiconductors

RF3L05250CB4 предлагает значительные преимущества для разработки мощных и надежных радиочастотных усилителей. Применение этого компонента гарантирует высокую производительность и долговечность в критически важных приложениях.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК