RF3L05250CB4
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
RF3L05250CB4 от STM
Общее описание
RF3L05250CB4 – это высокоэффективный LDMOS-транзистор сверхвысокочастотного (СВЧ) диапазона, разработанный компанией STMicroelectronics. Этот транзистор предназначен для усиления сигналов в диапазоне до 1 ГГц и обладает выходной мощностью до 250 Вт. Представляет собой идеальное решение для множества приложений в области радиочастотной электроники, особенно там, где требуется высокая мощность и надежность.
Преимущества
- Высокая выходная мощность: до 250 Вт, что делает его подходящим для мощных RF-приложений.
- Низкий ток утечки: обеспечивает высокую эффективность и надежность работы.
- Высокая усилительная способность: значение усиления 18 дБ.
- Стабильность и надежность: конструктивные особенности обеспечивают длительный срок службы и стабильное функционирование в различных условиях.
Недостатки
- Высокая стоимость: компоненты для высокочастотных приложений могут быть дороже обычных MOSFET.
- Требует профессиональных навыков для работы: нужна соответствующая квалификация для проектирования и применения в схемах.
Типовое использование
- Усилители мощности радиочастоты (RF Power Amplifiers)
- Базовые станции сотовой связи
- Радиопередатчики
- Коммуникационное оборудование
Рекомендации по применению
- Используйте соответствующие механизмы теплоотвода для предотвращения перегрева и обеспечения долговечной работы.
- Следите за правильной настройкой напряжения и тока для достижения наилучших параметров производительности.
- Рекомендуется использовать защитные цепи для предотвращения выхода из строя при перепадах напряжения.
Основные технические характеристики
- Технология: LDMOS
- Частота: до 1 ГГц
- Коэффициент усиления (Gain): 18 дБ
- Тестовое напряжение: 28 В
- Ток утечки: 1 мкА
- Рабочий ток: 100 мА
- Выходная мощность: 250 Вт
- Максимальное напряжение: 90 В
- Тип монтажа: На корпус (Chassis Mount)
- Корпус (Package / Case): LBB
- Пакет поставщика: LBB
Возможные аналоги
- MRFE6VP61K25H от NXP Semiconductors
- BLF578XR от Ampleon
- MRF6VP21KHR от NXP Semiconductors
RF3L05250CB4 предлагает значительные преимущества для разработки мощных и надежных радиочастотных усилителей. Применение этого компонента гарантирует высокую производительность и долговечность в критически важных приложениях.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.