RF3L05150CB4

37 920,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

RF3L05150CB4 от STMicroelectronics

Общее описание

RF3L05150CB4 — это мощный радиочастотный MOSFET транзистор на основе технологии LDMOS, предназначенный для работы с частотами до 1 ГГц. Максимальная выходная мощность устройства составляет 150 Вт, что делает его идеальным для применения в усилителях мощности и других радиочастотных устройствах. Транзистор работает при напряжении 28 В и обладает высоким коэффициентом усиления.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: До 150 Вт, что позволяет использовать транзистор в мощных радиочастотных инженерных решениях.
  • Широкий частотный диапазон: До 1 ГГц, что расширяет возможности применения устройства в различных радиочастотных приложениях.
  • Высокий коэффициент усиления: Обеспечивает эффективное усиление сигнала.
  • Надежность и долговечность: Изготовлен по передовой LDMOS технологии, обеспечивающей высокую производительность и долговечность.

Недостатки

  • Высокий рабочий ток: Заявлен ток тестирования 500 мА, что требует тщательно продуманной системы охлаждения.
  • Параметры монтажа: Требуется монтаж на шасси, что может быть неудобным в некоторых приложениях.

Типовое использование

  • Усилители мощности
  • Радиочастотные передатчики
  • Мобильные и стационарные базовые станции
  • Оборудование для радиосвязи и телевещания
  • Военные радиочастотные системы

Рекомендации по применению

  1. Охлаждение: Обязательна установка на радиатор или шасси с хорошим теплоотводом для предотвращения перегрева.
  2. Рабочее напряжение: Обеспечьте стабильное питание 28 В для оптимальной работы устройства.
  3. Защита от перегрузки: Используйте соответствующие предохранители и защитные элементы в цепи питания.

Основные технические характеристики

  • Технология: LDMOS
  • Частотный диапазон: До 1 ГГц
  • Коэффициент усиления: 23 дБ
  • Выходная мощность: 150 Вт
  • Напряжение питания: 28 В
  • Ток тестирования: 500 мА
  • Номинальное напряжение: 90 В
  • Тип монтажа: Шасси
  • Корпус: LBB
  • Рабочая температура: -40°C до +150°C

Возможные аналоги

  • MRF150 от Freescale Semiconductor
  • BLP9G0722-50 от Ampleon
  • PD55003L-E от STMicroelectronics

Для более подробной информации и консультаций, свяжитесь с нашими специалистами.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК