RF2L36075CF2

30 240,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

RF2L36075CF2 от STMicroelectronics

Общее описание

RF2L36075CF2 - это мощный LDMOS транзистор, предназначенный для использования в радиочастотных (RF) приложениях. Он обеспечивает высокий выходной уровень мощности, низкий уровень искажений и высокую линейность. Данный компонент оптимизирован для работы в СВЧ-диапазоне на частоте до 3.6 ГГц и может использоваться в различных радиочастотных системах.

Преимущества

  • Высокая мощность: Мощность выхода до 75 Вт, что позволяет использовать компонент в мощных радиочастотных передатчиках.
  • Высокая рабочая частота: Рабочая частота до 3.6 ГГц, что открывает широкие возможности для применения в СВЧ-устройствах.
  • Высокий коэффициент усиления: Коэффициент усиления 12.5 дБ, обеспечивающий значительное усиление сигнала.
  • Линейность и низкие искажения: Подходит для задач, где необходимы минимальные искажения.

Недостатки

  • Требует охлаждения: Высокая мощность может потребовать дополнительных мер по охлаждению для обеспечения стабильной работы.
  • Специфичное использование: Подходит не для всех приложений из-за высокой рабочей частоты и уровня мощности.

Типовое использование

  • Базовые станции сотовой связи
  • Радиочастотные передатчики
  • Устройства СВЧ-связи
  • Усилители мощности для радиопередатчиков

Рекомендации по применению

  • Обеспечьте адекватное теплоотведение для предотвращения перегрева.
  • Используйте качественные фильтры и согласующие цепи для минимизации потерь и искажений сигнала.
  • При монтаже следуйте рекомендациям производителя и используйте поверхностный монтаж для оптимизации характеристик.

Основные технические характеристики

  • Технология: LDMOS
  • Частота: до 3.6 ГГц
  • Коэффициент усиления: 12.5 дБ
  • Рабочее напряжение: 28 В
  • Тестовый ток: 600 мА
  • Мощность выхода: 75 Вт
  • Номинальное напряжение: 60 В
  • Монтаж: Поверхностный монтаж (Surface Mount)
  • Корпус: B2

Возможные аналоги

  • BLF8G27LS-160 от NXP Semiconductors: Альтернативный RF транзистор с похожими параметрами.
  • MRFE6VP5600N от Freescale Semiconductor: Еще один мощный LDMOS транзистор для радиочастотных приложений.

Используйте RF2L36075CF2, чтобы получить надежное и мощное решение для своих радиочастотных проектов, обеспечивая высокое качество и стабильность работы.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК