PTVA127002EVV1R0XTMA1

PTVA127002EVV1R0XTMA1 от Infineon

Общее описание

PTVA127002EVV1R0XTMA1 – это мощный RF транзистор, разработанный компанией Infineon. Он принадлежит к категории LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor) транзисторов и предназначен для работы в радиочастотном диапазоне. Этот компонент оптимизирован для приложений, требующих высокой мощности и надежности, таких как базовые станции сотовой связи и усилители мощности.

Преимущества

• Высокая мощность: обеспечивает выходную мощность до 700 Вт.
• Низкие искажения: обеспечивает качественный и устойчивый сигнал.
• Надежность и долговечность: высокое качество исполнения и устойчивость к нагрузкам.
• Широкая область применения: подходит для различных радиочастотных приложений.

Недостатки

• Стоимость: высокая стоимость по сравнению с другими менее мощными транзисторами.
• Требования к охлаждению: требует эффективной системы охлаждения для обеспечения стабильной работы.

Типовое использование

• Базовые станции сотовой связи
• Усилители мощности для телекоммуникаций
• Радиопередатчики
• Системы беспроводной связи

Рекомендации по применению

• Охлаждение: для стабильной работы необходимо обеспечить эффективное охлаждение компонента.
• Питание: обеспечьте стабилизированное питание на уровне 50 В.
• Настройка рабочей частоты: используйте в диапазоне от 1.2 до 1.4 ГГц для оптимального функционирования.
• Монтаж: используйте соответствующие монтажные приборы и соблюдайте правила ESD-защиты.

Основные технические характеристики

• Рабочее напряжение: 50 В
• Рабочий диапазон частот: от 1.2 до 1.4 ГГц
• Выходная мощность: до 700 Вт
• Коэффициент усиления: 16 дБ
• Ток при испытаниях: 300 мА
• Корпус: H-36275-4
• Температурный диапазон: от -40°C до +150°C

Возможные аналоги

• MRF13750 от NXP Semiconductors
• BLF884P от Ampleon
• PTVA120251EA от Wolfspeed/Cree

Этот компонент подходит для критически важных приложений, где требуется высокая выходная мощность и устойчивость к перегрузкам.