PD57060S-E

PD57060S-E от STMicroelectronics

Общее описание

PD57060S-E — это мощный радиочастотный (RF) MOSFET транзистор на базе технологии LDMOS от компании STMicroelectronics. Транзистор предназначен для работы на частотах до 945 МГц и обеспечивает выходную мощность до 60 Вт при тестовом напряжении 28 В. Корпус транзистора PowerSO-10RF (с прямыми выводами) обеспечивает эффективное рассеивание тепла.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: до 60 Вт
• Высокая линейность и усиление: 14.3 дБ
• Низкая индуктивность корпуса: PowerSO-10RF
• Широкий диапазон рабочих температур

Недостатки

• Высокая стоимость: обусловлена использованием передовой технологии LDMOS
• Ограничение по частоте: не подходит для применения на частотах выше 945 МГц

Типовое использование

• Мощные РЧ усилители
• Базовые станции GSM/EDGE
• Передатчики для разных типов радиосвязи
• Профессиональные радиостанции

Рекомендации по применению

• Обеспечьте хорошее охлаждение за счет качественной термоотводящей системы
• Используйте соответствующие схемы согласования входа и выхода для оптимальной работы на требуемых частотах
• Защищайте транзистор от возможных перенапряжений

Основные технические характеристики

• Технология: LDMOS
• Частота: 945 МГц
• Коэффициент усиления: 14.3 дБ
• Рабочее напряжение: 28 В
• Ток теста: 100 мА
• Выходная мощность: 60 Вт
• Максимальное напряжение: 65 В
• Корпус: PowerSO-10RF

Возможные аналоги

• BLF578 от NXP Semiconductors: мощный LDMOS транзистор для РЧ применения с аналогичными характеристиками.
• MRF151G от Freescale Semiconductor: транзистор для мощных РЧ усилителей, тоже имеет аналогичные параметры.

Это описание поможет вам понять основные особенности и области применения транзистора PD57060S-E от STMicroelectronics, а также выбрать аналог в случае необходимости.