PD57018-E

7 200,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

STMicroelectronics PD57018-E

Общее описание

STMicroelectronics PD57018-E — это высокочастотный MOSFET-транзистор (RF MOSFET) с низким уровнем обратных потерь и высокой линейностью, созданный с использованием технологии LDMOS. Он предназначен для работы в диапазоне частот до 945 МГц и способен производить выходную мощность до 18 Вт при напряжении питания 28 В. Этот транзистор идеально подходит для применения в усилителях мощности и других радиочастотных устройствах.

Преимущества

  • Высокий коэффициент усиления: 16.5 дБ, что обеспечивает отличную производительность в радиочастотных приложениях.
  • Высокая выходная мощность: До 18 Вт при напряжении питания 28 В.
  • Низкие обратные потери: Повышенная эффективность и производительность.
  • Устойчивая работа: Сниженный риск термической нестабильности благодаря качественной теплоотводящей упаковке PowerSO-10.

Недостатки

  • Рассеивание тепла: Требуется эффективная система охлаждения для поддержания рабочих температур.
  • Специальные условия монтажа: Потребуется аккуратный монтаж на печатную плату с качественным теплоотведением.

Типовое использование

  • Усилители мощности для базовых станций: Подходит для усиления сигналов в базовых станциях мобильной связи.
  • Радиопередатчики: Используется в различных радиочастотных передатчиках.
  • Радиолокационные системы: Применяется в радарных системах для высокочастотной работы.

Рекомендации по применению

  • Убедитесь в наличии эффективной системы охлаждения для управления тепловыми характеристиками транзистора.
  • Обратите внимание на правильный монтаж транзистора для минимизации паразитных индуктивностей.
  • Используйте надёжные элементы питания и защиты от перенапряжений.

Основные технические характеристики

  • Тип продукта: RF MOSFET
  • Технология: LDMOS
  • Частота: До 945 МГц
  • Коэффициент усиления: 16.5 дБ
  • Питающее напряжение: 28 В
  • Выходная мощность: До 18 Вт
  • Ток тестирования: 100 мА
  • Корпус: PowerSO-10 с теплоотводом

Возможные аналоги

  • MRF151G (NXP Semiconductors): Транзистор высокого уровня мощности с хорошими высоко-частотными характеристиками.
  • BLF572 (Ampleon): Высокоэффективный транзистор для усилителей мощности радиочастот.

Заключение

STMicroelectronics PD57018-E представляет собой надёжное и эффективное решение для радиочастотных усилителей мощности. Его высокая выходная мощность и надёжное исполнение делают его оптимальным выбором для множества радиочастотных приложений.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК