PD55025TR-E

PD55025TR-E от STMicroelectronics

Общее описание

PD55025TR-E — это радиочастотный металлооксидный полупроводниковый транзистор (RF MOSFET) с технологией LDMOS (Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor) от компании STMicroelectronics. Этот компонент разработан для использования в мощных радиочастотных усилителях, особенно в диапазоне до 500 MHz.

Преимущества

• Высокая мощность: Выходная мощность до 25W, что делает его идеальным для мощных RF усилителей.
• Низкие потери: Эффективная работа при напряжении 12.5V, что обеспечивает низкие потери мощности.
• Легкость интеграции: Корпус PowerSO-10RF с формованными выводами позволяет легко интегрировать компонент в схемы.

Недостатки

• Ограниченный диапазон частот: Оптимален для работы до 500 MHz, что может быть ограничением для некоторых приложений.
• Высокая стоимость: RF MOSFET LDMOS обычно стоят дороже, чем биполярные транзисторы или традиционные MOSFET.

Типовое использование

• Базовые станции: Применяется в усилителях мощности для сотовых базовых станций.
• Радиопередатчики: Используется в передатчиках широкого диапазона частот.
• Коммуникационное оборудование: Идеален для различных типов радиооборудования, требующих высокой выходной мощности.

Рекомендации по применению

• Теплоотведение: Обеспечьте надлежащее отведение тепла для предотвращения перегрева компонента.
• Импеданс: Настройте схему для соответствия импедансу элемента (50 Ом).
• Защита от обратных напряжений: Используйте диоды и стабилитроны для защиты от обратного напряжения.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: LDMOS RF MOSFET
• Рабочая частота: До 500 MHz
• Напряжение питания: 12.5V
• Выходная мощность: 25W
• Коэффициент усиления: 14.5 dB
• Максимальное напряжение: 40V
• Ток теста: 200 mA
• Корпус: PowerSO-10RF (с формованными выводами)

Возможные аналоги

• MRF141G (Motorola/Freescale): Подобный по характеристикам компонент, но с иным корпусом.
• MRF150 (NXP): Схожий по мощности и рабочей частоте MOSFET.

Этот компонент представляет собой качественное решение для создания высокоэффективных RF усилителей и другой радиочастотной техники.