PD55025-E

RF MOSFET LDMOS PD55025-E от STMicroelectronics

Общее описание

PD55025-E – это высокочастотный MOSFET на основе LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) технологии производства от компании STMicroelectronics. Данный компонент предназначен для усиления мощности в радиочастотных (RF) приложениях, работающих на частоте до 500 МГц.

Преимущества

• Высокая мощность: Обеспечивает выходную мощность до 25 Вт, что делает его подходящим для использования в требовательных задачах.
• Великолепный усиление: Данный MOSFET обладает коэффициентом усиления 14.5 дБ, что способствует качественному и мощному сигналу.
• Надежность и долговечность: Благодаря LDMOS технологии, транзистор обладает высокой устойчивостью к перегрузкам и повышенной температуре.

Недостатки

• Ограниченная частотная характеристика: Рабочая частота ограничена до 500 МГц, что может не подходить для некоторых высокочастотных приложений.
• Необходимость точного управления температурой: Требуется тщательное управление тепловыми режимами для предотвращения перегрева.

Типовое использование

• Усилители мощности для радиочастотных (RF) приложений.
• Базовые станции мобильной связи.
• Радиооборудование и трансляционные системы.
• Радиолюбительские передатчики.

Рекомендации по применению

• Теплоотвод: Обязательно используйте эффективные радиаторы и термопасту для отвода тепла, чтобы избежать перегрева.
• Стабилизация питания: Для поддержания стабильной работы компонента используйте фильтры и стабилизаторы напряжения.
• Корректное расположение: Обеспечьте правильное размещение компонента на плате для оптимального теплового и электрического контакта.

Основные технические характеристики

• Тип технологии: LDMOS
• Рабочая частота: до 500 МГц
• Коэффициент усиления: 14.5 дБ
• Тестовое напряжение: 12.5 В
• Тестовый ток: 200 мА
• Выходная мощность: 25 Вт
• Рейтинг напряжения: 40 В
• Максимальный ток: 7 А
• Корпус: PowerSO-10 с экранированной нижней площадкой

Возможные аналоги

• BLF6G10-250 от NXP Semiconductors: Высоковольтный широкополосный LDMOS транзистор.
• MRF151G от Motorola: MOSFET для радиочастотных приложений, обеспечивающий высокую выходную мощность.
• AFT09MS031N от NXP Semiconductors: LDMOS транзистор с низким уровнем искажений для усилителей мощности.

Использование PD55025-E может значительно улучшить производительность ваших радиочастотных усилительных систем благодаря его выдающимся характеристикам и надежности.