MX0912B351Y,114

63 840,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

NXP Semiconductors MX0912B351Y,114 - Транзистор RF

Общее описание

Транзистор MX0912B351Y,114 от компании NXP Semiconductors представляет собой высокочастотный NPN транзистор, который идеально подходит для применения в схемах радиочастотных (RF) и микроволновых устройств. Этот транзистор разработан для работы при высоких частотах и обеспечивает отличные характеристики усиления мощности.

Преимущества

  • Высокая частота переключения: Отлично подходит для применения в высокочастотных и радиоэлектронных устройствах.
  • Низкий уровень шума: Обеспечивает высокую чистоту сигнала, что важно для большинства RF приложений.
  • Надежность и долговечность: Прошел строгие тесты на надежность и долговечность, что делает его отличным выбором для критически важных приложений.

Недостатки

  • Высокая потребляемая мощность: Может потреблять больше энергии по сравнению с другими типами транзисторов, что необходимо учитывать при проектировании.
  • Требует охлаждения: Из-за высокой мощности возможно понадобится дополнительное охлаждение для предотвращения перегрева.

Типовое использование

  • Устройства радиосвязи и передатчики
  • Усилители мощности и сигнала
  • Радарные системы
  • Высокочастотные модули

Рекомендации по применению

  • Обратите внимание на правильную компоновку и монтаж, чтобы минимизировать индуктивные эффекты на высоких частотах.
  • Используйте подходящие радиаторы или системы охлаждения для предотвращения перегрева транзистора.
  • Следите за соблюдением технических характеристик и рекомендаций производителя для обеспечения максимальной производительности.

Основные технические характеристики

  • Тип транзистора: NPN
  • Конфигурация корпуса: SOT-439A
  • Частотный диапазон: До нескольких гигагерц
  • Максимальная мощность рассеяния: 25 Вт
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce): 65 В
  • Максимальное напряжение база-эмиттер (Vbe): 4 В
  • HFE (коэффициент усиления): 10-20 при 1 А

Возможные аналоги

  • BUR0100 от Infineon
  • MRF571 от Motorola
  • 2SC1971 от Toshiba

Заключение

Транзистор MX0912B351Y,114 от NXP Semiconductors - это надежный и высокоэффективный компонент для работы в высокочастотных приложениях. Его высокая стабильность и низкий уровень шума делают его идеальным выбором для радиочастотных и микроволновых устройств.


Вы всегда можете обратиться к документации производителя для получения более подробной информации и рекомендаций по использованию этого транзистора.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК