MW7IC2725NR1

14 640,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Вот описание для MW7IC2725NR1 от NXP Semiconductors:


MW7IC2725NR1 от NXP Semiconductors

Общее описание

MW7IC2725NR1 от NXP Semiconductors – это высокочастотный усилительный транзистор с полевым эффектом (LDMOS), предназначенный для использования в различных приложениях, таких как базовые станции и другие радио-частотные системы. Этот компонент является частью серии высокоэффективных усилителей мощности, обеспечивающих высокую выходную мощность при минимальных потерях и высоком коэффициенте усиления в диапазоне частот от 2,5 до 2,7 ГГц.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: Обеспечивает мощность до 4 Вт, что делает его подходящим для мощных передатчиков.
  • Высокий коэффициент усиления: Позволяет достигать усиления до 28,5 дБ, повышая эффективность передачи сигнала.
  • Широкий диапазон рабочих частот: Работает в диапазоне от 2,5 ГГц до 2,7 ГГц, что делает этот компонент универсальным для различных радио-частотных применений.
  • Низкие энергетические потери: Высокая эффективность и низкие потери энергии обеспечивают долговременную работу устройства.

Недостатки

  • Ограниченная доступность: Снято с производства, что может затруднить закупку данного компонента.
  • Требования к охлаждению: Необходимы эффективные системы охлаждения для обеспечения долговременной работы в условиях высокой мощности.

Типовое использование

  • Базовые станции мобильной связи
  • Усилители мощности для радиопередатчиков
  • Системы беспроводной связи и передачи данных
  • Микроволновые и спутниковые системы связи

Рекомендации по применению

  • Используйте подходящую систему охлаждения для предотвращения перегрева.
  • Обеспечьте стабильное питание с минимальными шумами для оптимальной работы компонента.
  • Рассмотрите возможные аналоги в случае проблем с доступностью данного компонента.

Основные технические характеристики

  • Тип транзистора: LDMOS
  • Конфигурация: Двухканальный (2 N-канальный)
  • Частотный диапазон: 2,5 ГГц ~ 2,7 ГГц
  • Коэффициент усиления: 28,5 дБ
  • Тестовое напряжение: 28 В
  • Тестовый ток: 275 мА
  • Выходная мощность: 4 Вт
  • Номинальное напряжение: 65 В
  • Тип монтажа: Поверхностный монтаж
  • Корпус: TO-270WB-16

Возможные аналоги

  • MRF6VP2600NBR1 от NXP
  • BLF572 от Ampleon
  • PD55025-E от STMicroelectronics

Надеюсь, это описание будет полезным для вашего интернет-магазина!

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК