MSCSM70VR1M10CTPAG

Описание компонента: MSCSM70VR1M10CTPAG

Общее описание

MSCSM70VR1M10CTPAG от Microchip - это высокопроизводительный модуль, содержащий 6 n-канальных MOSFET'ов на основе карбида кремния (SiC). Этот компонент предназначен для использования в приложениях, требующих высокой производительности, таких как силовые преобразователи, инверторы и источники питания.

Преимущества

• Высокое напряжение пробоя: 700 В, что позволяет использовать компонент в высоковольтных цепях.
• Высокая производительность: Низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) всего 9,5 мОм при Id=80A и Vgs=20V.
• Высокая температура работы: Рабочий температурный диапазон от -40°C до 175°C.
• Большая способность к рассеиванию мощности: Максимальная мощность рассеивания составляет 674 Вт при Tc.

Недостатки

• Цена: Карбид кремния обычно дороже, чем традиционные кремниевые MOSFET'ы, что может увеличить общую стоимость продукта.
• Требования к драйверам: Требуется более высокий уровень напряжения для управления затвором (20 В), что требует соответствующих драйверов затвора.

Типовое использование

• Инверторы: Используются в системах преобразования энергии, включая солнечные инверторы.
• Силовые преобразователи: Применяются в силовой электронике для преобразования и управления напряжением и током.
• Автомобильная электроника: Использование в системах управления электроприводами и зарядными устройствами.

Рекомендации по применению

• Охлаждение: Обеспечьте достаточное охлаждение для поддержания рабочей температуры в пределах допустимого диапазона.
• Драйверы затвора: Используйте драйверы затвора, способные обеспечивать напряжение 20 В для оптимальной работы.
• Защита: Обеспечьте соответствующую защиту от перенапряжения и перегрузки по току.

Основные технические характеристики

• Конфигурация: 6 N-канальных MOSFET'ов
• Технология: Карбид кремния (SiC)
• Напряжение пробоя (Vdss): 700 В
• Ток стока (Id) при 25°C: 238 А (Tc)
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 9,5 мОм при Id=80A и Vgs=20V
• Пороговое напряжение (Vgs(th)): 2,4 В при Id=8 мА
• Заряд затвора (Qgs): 430 нК при Vgs=20 В
• Максимальная мощность: 674 Вт (Tc)
• Температурный диапазон: -40°C ~ 175°C (Tj)
• Тип монтажа: Шасси
• Корпус: Модуль

Возможные аналоги

• Wolfspeed C3M0075120K: N-канальный MOSFET 1200 В C3M, предложение альтернативного производителя с аналогичными характеристиками.
• ROHM SCT3030AL: N-канальный MOSFET 900 В SiC, аналогичный продукт от другого производителя.

Используйте MSCSM70VR1M10CTPAG для создания высокоэффективных и надёжных силовых преобразователей и инверторов.