MSCSM70VR1M10CT3AG

MSCSM70VR1M10CT3AG от Microchip

Общее описание

MSCSM70VR1M10CT3AG – это силовой модуль MOSFET с технологией Кремний Карбид (SiC), разработанный компанией Microchip. Данный модуль включает в себя два N-канальных MOSFET, работающих в конфигурации "phase leg". Эти компоненты способны работать при высоком напряжении (до 700 В) и обеспечивают высокую токовую нагрузку до 241 А, что делает их идеальными для применения в мощных системах.

Преимущества

• Высокая эффективность: Использование технологии SiC обеспечивает меньшие потери на переключение и большую тепловую стабильность.
• Высокое напряжение и ток: Способность выдерживать напряжение до 700 В и ток до 241 А.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает малые потери при работе.
• Широкий температурный диапазон: Работа при температурах от -40°C до 175°C.

Недостатки

• Стоимость: Технология SiC обычно дороже, чем традиционные кремниевые компоненты.
• Требовательность к управлению: Необходимы специальные драйверы для эффективного управления SiC MOSFET.

Типовое использование

• Инверторы для солнечных панелей и системы генерации возобновляемой энергии.
• Промышленные приводы.
• Электромобили и зарядные станции для них.
• Блоки питания высокой мощности.

Рекомендации по применению

• Использование с подходящими драйверами: Для достижения полной производительности необходимо использовать специализированные драйверы для SiC MOSFET.
• Обеспечение адекватного охлаждения: Учитывая высокую мощность данного модуля, рекомендуется использовать эффективные системы охлаждения (радиаторы, тепловые трубки и т.д.).
• Соблюдение условий эксплуатации: Внимательно следите за максимальными параметрами напряжения и тока, чтобы избежать повреждения компонента.

Основные технические характеристики

• Конфигурация: 2 N-канальных MOSFET (phase leg)
• Максимальное напряжение Drain-Source (Vdss): 700 В
• Постоянный ток (Id) при 25°C: 241 А (Tc)
• Rds(on) (макс.) при Id, Vgs: 9.5 мОм @ 80 А, 20 В
• Qg (макс.) при Vgs: 430 нКл @ 20 В
• Ciss (макс.) при Vds: 9000 пФ @ 700 В
• Максимальная мощность: 690 Вт (Tc)
• Температурный диапазон: -40°C ~ 175°C (Tj)
• Тип монтажа: Шасси (Chassis Mount)
• Корпус/размеры: Модуль

Возможные аналоги

• C2M0045170D от Wolfspeed/Cree
• SPP20N60C3 от Infineon Technologies
• PSMN015-150BSE от Nexperia

Данный компонент является отличным выбором для применения в условиях высоких нагрузок и напряжений, требующих высокой эффективности и надежности.