MSCSM70VM10C4AG

MSCSM70VM10C4AG от Microchip

Общее описание

MSCSM70VM10C4AG — это мощный MOSFET массив, выполненный на основе карбида кремния (SiC). Данный компонент предназначен для использования в средах с высокими напряжениями и большими токами, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Он имеет два н-канальных транзистора, конфигурацией фазной ноги, что позволяет использовать его в различных промышленных приложениях.

Преимущества

• Высокая эффективность: благодаря использованию SiC технологии, транзисторы обладают низкими потерями на переключение.
• Надежность: устойчивость к высоким температурам и нагрузкам делает этот компонент идеальным для жестких условий эксплуатации.
• Компактность: компактное исполнение в корпусе SP4 позволяет снизить размеры конечных устройств.

Недостатки

• Стоимость: компоненты на основе SiC обычно дороже аналогов на основе кремния.
• Требования к управлению: требуют специальных драйверов для эффективного управления и защиты.

Типовое использование

• Электроприводы: использующие высокие напряжения и токи.
• Инверторы: для преобразования постоянного тока в переменный.
• Энергетические установки: работающие в жестких условиях, требующие высокой надежности и эффективности.
• Автомобильная электроника: особенно в электротранспорте и гибридных автомобилях.

Рекомендации по применению

• Теплоотвод: обязательно использовать адекватные решения для отвода тепла для предотвращения перегрева.
• Защита: обеспечить защиту от перенапряжений и перегрузок.
• Драйверы: использовать совместимые драйверы для максимальной производительности и защиты.

Основные технические характеристики

• Материал: Карбид кремния (SiC)
• Конфигурация: 2 N-канальных транзистора (фазная нога)
• Сопротивление сток-исток при включенном состоянии (Rds(on)): 9.5 мОм @ 80А, 20В
• Пороговое напряжение сток-исток (Vdss): 700В
• Продолжительный ток стока (Id): 238А @ 25°C
• Максимальная мощность (Pmax): 674Вт @ (Tc)
• Температурный диапазон: -40°C до 175°C (Tj)
• Корпус/упаковка: SP4, монтаж на шасси

Возможные аналоги

• Cree C3M0075120D: аналогичный SiC MOSFET с напряжением 1200В.
• ROHM SCT3022AL: также карбид-кремниевый MOSFET с напряжением 650В и аналогичными характеристиками.

MSCSM70VM10C4AG от Microchip является высококачественным и надежным компонентом для применения в тяжелых промышленных и автомобильных условиях, обеспечивая при этом высокую эффективность и долговечность.