MSCSM70TAM19T3AG

MSCSM70TAM19T3AG от Microchip

Общее описание

MSCSM70TAM19T3AG – это мощный модуль MOSFET от компании Microchip Technology. Он содержит шесть N-канальных транзисторов MOSFET, разработанных на базе кремния карбида (SiC) для использования в мощных приложениях. Этот модуль обладает высокой эффективностью и способностью к работе в экстремальных температурах и условиях.

Преимущества

• Высокая Пропускная Способность Тока: Непрерывный ток стока составляет 124А, что позволяет использовать модуль в мощностных приложениях.
• Высокое Напряжение Канала: Модуль поддерживает напряжение 700V, что делает его пригодным для высоковольтных приложений.
• *Низкое Сопротивление Открытого Кана: *Максимальное сопротивление составляет 19 мОм при токе 40А и напряжении затвора 20В, что минимизирует потери мощности.
• Устойчивость к Высоким Температурам и Искажениям: Рабочий температурный диапазон от -40°C до 175°C, позволяет использовать модуль в самых суровых условиях.
• Эффективность: Силикон-карбидная технология обеспечивает лучшие показатели по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET.

Недостатки

• Стоимость: Кремний-карбидные транзисторы, как правило, дороже по сравнению с традиционными кремниевыми аналогами.
• Сложность в Обслуживании: Модули требуют специализированного оборудования и навыков для установки и замены.

Типовое применение

• Высоковольтные преобразователи и инверторы
• Промышленные двигатели и системы питания
• Электрические транспортные средства и их зарядные станции
• Возобновляемые источники энергии, такие как солнечные и ветровые электростанции
• Импульсные источники питания

Рекомендации по применению:

• Механический монтаж: Убедитесь, что модуль надежно закреплен на шасси или в корпусе, который обеспечивает адекватное тепловое рассеяние.
• Теплоотвод: Планируйте использование адекватных систем охлаждения для управления тепловой нагрузкой.
• Электрическое соединение: Убедитесь, что все соединения надёжны и соответствуют спецификациям для минимизации потерь и электромагнитных помех.

Основные технические характеристики

• Конфигурация: Шесть N-канальных MOSFET
• Тип компонента: Кремний карбид (SiC)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 700V
• Непрерывный ток стока (Id): 124А при 25°C
• Сопротивление открытого канала (RdsOn): 19 мОм
• Заряд затвора (Qg): 215 нК при 20В
• Максимальная мощность: 365 Ватт (Tc)
• Диапазон рабочих температур: от -40°C до 175°C
• Тип корпуса: Модуль для монтажа на шасси

Возможные аналоги

• C2M0025120D от Wolfspeed
• AUIRS2334S от Infineon Technologies
• AUIR08152S от Infineon Technologies

Этот модуль идеально подходит для применения в мощных и высокоэффективных электронных устройствах, где важны надежность и долговечность.