MSCSM70TAM19CT3AG

MSCSM70TAM19CT3AG от Microchip

Общее описание

MSCSM70TAM19CT3AG представляет собой кремниево-карбидный (SiC) MOSFET-модуль трехфазного моста на 700 В с номинальным текущим 124 А. Он предлагает высокую мощность и эффективность, что делает его отличным выбором для различных применений, требующих высокой производительности и надежности.

Преимущества

• Высокая эффективность: Кремниевые карбидные технологии обеспечивают лучшую производительность по сравнению с традиционными кремниевыми решениями.
• Меньшие потери: Низкое сопротивление Rds(on) и высокая скорость переключения снижают потери энергии.
• Увеличенная плотность мощности: Возможность работы при более высоких температурах и напряжениях позволяет снизить размер и вес систем.
• Долговечность и надежность: Устойчивость к экстремальным условиям и длительный срок службы.

Недостатки

• Стоимость: Более высокая начальная стоимость по сравнению с традиционными кремниевыми компонентами.
• Требования к управлению: Требует продуманной системы управления для достижения максимальной эффективности и безопасности.

Типовое использование

• Инверторы: Для фотовольтаических систем и ветровых турбин.
• Зарядные устройства: Высоковольтные зарядные станции для электроавтомобилей.
• БПЧ: Промышленные приводы и системы электроснабжения.

Рекомендации по применению

• Охлаждение: Обеспечьте адекватное охлаждение для поддержания рабочей температуры ниже максимального значения (175°C).
• Экранирование: Используйте экранирование для минимизации электромагнитных помех.
• Контроль напряжения: Добро поверяйте напряжение управляющего сигнала, чтобы избежать повреждения компонента.

Основные технические характеристики

• Технология: Кремниево-карбидный (SiC)
• Конфигурация: Шестиканальный (трехфазный мост)
• Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 700 В
• Максимальный постоянный ток истока (Id) при 25°C: 124 А
• Сопротивление сток-исток (Rds(on)): 19 мОм при 40 А, 20 В
• Пороговое напряжение Vgs(th): 2.4 В при 4 мА
• Максимальный заряд затвора (Qg): 215 нК при 20 В
• Максимальная мощность: 365 Вт
• Рабочая температура: от -40°C до 175°C
• Монтаж: Крепление на шасси
• Корпус: SP3F

Возможные аналоги

• Cree C2M0025120D: Аналогичный кремниево-карбидный MOSFET с повышенным токовым и вольтмером.
• Rohm SCT2080KE: Кремний-карбидный MOSFET с похожими характеристиками, но в меньшем корпусе.
• Infineon IMW120R045M1: Высоковольтный SiC MOSFET подходящий для мощных приложений.

Этот мощный компонент обеспечит повышение эффективности и производительности вашей системы наряду с долговременностью работы.