MSCSM70HM19T3AG

Описание MSCSM70HM19T3AG

Общее описание

MSCSM70HM19T3AG — это силовой модуль от компании Microchip Technology, основанный на технологии карбида кремния (SiC). Этот модуль содержит четыре n-канальных MOSFET-транзистора, организованных в полную мостовую конфигурацию. Он обеспечивает высокую производительность и эффективность для приложений, требующих высокого напряжения и тока.

Преимущества

• Высокая эффективность: Технология карбида кремния позволяет снизить потери на переключение и повысить общую эффективность системы.
• Высокая рабочая температура: Модуль способен работать при температурах до 175°C, что увеличивает надежность и долговечность.
• Улучшенные электрические характеристики: Низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) и высокая скорость переключения.

Недостатки

• Стоимость: Технология карбида кремния может быть дороже в сравнении с традиционными кремниевыми решениями.
• Необходимость в специфическом драйвере: Для управления SiC MOSFET требуется драйвер, способный работать при высоком напряжении и быстро переключаться.

Типовое использование

MSCSM70HM19T3AG идеально подходит для применения в следующих областях:

• Силовые инверторы и преобразователи
• Электротранспорт (EV) и зарядные станции
• Возобновляемая энергетика (солнечные и ветровые системы)
• Системы электропитания промышленного назначения

Рекомендации по применению

• Используйте соответствующие драйверы для управления SiC MOSFET.
• Обеспечьте эффективное тепловое управление для поддержания оптимальной рабочей температуры и предотвращения перегрева.
• Внимательно проектируйте печатную плату (PCB), учитывая высокое рабочее напряжение и токи.

Основные технические характеристики

• Технология: Карбид кремния (SiC)
• Конфигурация: Полный мост (4 n-канальных MOSFET)
• Drain to Source Voltage (Vdss): 700V
• Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mОм @ 40A, 20V
• Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215нК @ 20V
• Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500пФ @ 700V
• Power - Max: 365W
• Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
• Тип монтажа: Крепление на шасси
• Корпус: Модуль

Возможные аналоги

• CREE CAS300M17BM2: Модуль SiC MOSFET с аналогичными напряжением и током.
• ROHM BSM300D12P2E001: Альтернативный SiC модуль с полной мостовой конфигурацией.

Заключение

MSCSM70HM19T3AG представляет собой высокоэффективное и надежное решение для силовых приложений, требующих высокого напряжения и тока. Его преимущества, такие как высокая производительность и большая рабочая температура, делают его идеальным выбором для множества современных энергетических применений.