MSCSM70AM07T3AG

67 920,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

MSCSM70AM07T3AG (Microchip Technology)

Общее описание

MSCSM70AM07T3AG - это мощный MOSFET-модуль с кремниево-карбидными (SiC) транзисторами от компании Microchip Technology. Этот модуль разработан для использования в высоковольтных и высокотоковых приложениях, обеспечивая отличную эффективность и надежность. Он основан на новой кремниево-карбидной технологии, которая обеспечивает отличную термическую производительность и энергетическую эффективность.

Преимущества

  • Высокая эффективность: Низкие потери благодаря кремниево-карбидной технологии.
  • Высокая надежность: Отличные термические характеристики, что позволяет работать при высоких температурах.
  • Компактные размеры: Удобство монтажа благодаря модульному форм-фактору.

Недостатки

  • Стоимость: В сравнении с традиционными кремниевыми MOSFET, кремниево-карбидные транзисторы могут быть более дорогими.
  • Доступность: Возможен ограниченный запас на рынке из-за сравнительно новой технологии.

Типовое использование

  • Инверторы для фотоэлектрических систем
  • Коммерческие и промышленные инверторы
  • Высоковольтные преобразователи
  • Электрические транспортные средства (EV)
  • Быстрая зарядка

Рекомендации по применению

  • Учитывайте рабочие температуры и обеспечивайте необходимое охлаждение для достижения оптимальной производительности.
  • Используйте в приложениях, требующих работы с высоким напряжением и током.
  • Подробно изучите техническую документацию для правильного монтажа и эксплуатации.

Основные технические характеристики

  • Технология: Кремниево-карбидный (SiC)
  • Конфигурация: 2 канала (N-тип)
  • Напряжение сток-исток (Vdss): 700 В
  • Постоянный ток стока (Id) при 25°C: 353 А (Tc)
  • Rds(on) максимально при Id, Vgs: 6.4 мОм при 120 А, 20 В
  • Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) при Id: 2.4 В при 12 мА
  • Заряд затвора (Qg) максимально при Vgs: 645 нК при 20 В
  • Входная емкость (Ciss) максимально при Vds: 13500 пФ при 700 В
  • Максимальная мощность: 988 Вт (Tc)
  • Рабочая температура: от -40°C до +175°C (TJ)
  • Монтаж: на шасси
  • Корпус: модуль

Возможные аналоги

  • C3M0075120J от Cree/Wolfspeed
  • APT50GF120LRDQ2 от Microsemi
  • SCT3160KLGC11 от ROHM Semiconductor

Для получения дополнительной информации и технической документации, пожалуйста, обратитесь к официальной документации производителя Microchip Technology.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК