MSCSM70AM07T3AG
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
MSCSM70AM07T3AG (Microchip Technology)
Общее описание
MSCSM70AM07T3AG - это мощный MOSFET-модуль с кремниево-карбидными (SiC) транзисторами от компании Microchip Technology. Этот модуль разработан для использования в высоковольтных и высокотоковых приложениях, обеспечивая отличную эффективность и надежность. Он основан на новой кремниево-карбидной технологии, которая обеспечивает отличную термическую производительность и энергетическую эффективность.
Преимущества
- Высокая эффективность: Низкие потери благодаря кремниево-карбидной технологии.
- Высокая надежность: Отличные термические характеристики, что позволяет работать при высоких температурах.
- Компактные размеры: Удобство монтажа благодаря модульному форм-фактору.
Недостатки
- Стоимость: В сравнении с традиционными кремниевыми MOSFET, кремниево-карбидные транзисторы могут быть более дорогими.
- Доступность: Возможен ограниченный запас на рынке из-за сравнительно новой технологии.
Типовое использование
- Инверторы для фотоэлектрических систем
- Коммерческие и промышленные инверторы
- Высоковольтные преобразователи
- Электрические транспортные средства (EV)
- Быстрая зарядка
Рекомендации по применению
- Учитывайте рабочие температуры и обеспечивайте необходимое охлаждение для достижения оптимальной производительности.
- Используйте в приложениях, требующих работы с высоким напряжением и током.
- Подробно изучите техническую документацию для правильного монтажа и эксплуатации.
Основные технические характеристики
- Технология: Кремниево-карбидный (SiC)
- Конфигурация: 2 канала (N-тип)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 700 В
- Постоянный ток стока (Id) при 25°C: 353 А (Tc)
- Rds(on) максимально при Id, Vgs: 6.4 мОм при 120 А, 20 В
- Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) при Id: 2.4 В при 12 мА
- Заряд затвора (Qg) максимально при Vgs: 645 нК при 20 В
- Входная емкость (Ciss) максимально при Vds: 13500 пФ при 700 В
- Максимальная мощность: 988 Вт (Tc)
- Рабочая температура: от -40°C до +175°C (TJ)
- Монтаж: на шасси
- Корпус: модуль
Возможные аналоги
- C3M0075120J от Cree/Wolfspeed
- APT50GF120LRDQ2 от Microsemi
- SCT3160KLGC11 от ROHM Semiconductor
Для получения дополнительной информации и технической документации, пожалуйста, обратитесь к официальной документации производителя Microchip Technology.
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.