MSCSM70AM07CT3AG

MSCSM70AM07CT3AG от Microchip

Общее описание

MSCSM70AM07CT3AG – это мощный кремниево-карбидный (SiC) MOSFET модуль от компании Microchip Technology. Этот модуль обладает высокими показателями по напряжению и току, а также низким сопротивлением в открытом состоянии (Rds(on)). Данный компонент предназначен для применения в высокоэффективных и высокопроизводительных преобразователях и инверторах.

Преимущества

• Высокая скорость переключения: Благодаря использованию карбида кремния, модуль обеспечивает высокую скорость переключения, что позволяет повышать эффективность работы системы.
• Высокая температура эксплуатации: MSCSM70AM07CT3AG может работать при высоких температурах до 175°C.
• Низкое Rds(on): Минимизирует потери мощности, улучшая общую эффективность.
• Улучшенная теплопроводность: Помогает в управлении теплом и снижении необходимости в охлаждающих устройствах.

Недостатки

• Высокая стоимость: Компоненты на основе карбида кремния обычно стоят дороже аналогов из кремния.
• Требовательность к качеству монтажа: Требует знаний и опыта в работе с высоковольтными и высокочастотными компонентами.

Типовое использование

• Преобразователи DC-DC и AC-DC
• Солнечные и ветровые инверторы
• Промышленные приводы
• Электрические транспортные средства (EV)
• Высокочастотные импульсные источники питания (SMPS)

Рекомендации по применению

• Использование в схемах с высоким напряжением и током: Благодаря высоким характеристикам, модель идеальна для применения в мощных системах.
• Охлаждение: Обеспечьте адекватное охлаждение и теплопроводность для обеспечения долговременной работы.
• Проверка совместимости: Перед применением убедитесь, что модуль совместим с используемыми драйверами и схемами управления.

Основные технические характеристики

• Технология: Карбид кремния (SiC)
• Конфигурация: 2 N-канальных (Phase Leg)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 700 В
• Непрерывный ток стока (Id) при 25°C: 353 А (Tc)
• Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 6.4 мОм при 120 А, 20 В
• Напряжение затвора (Vgs(th)): 2.4 В при 12 мА
• Заряд затвора (Qg): 645 нК при 20 В
• Входная емкость (Ciss): 13500 пФ при 700 В
• Максимальная мощность (кВт): 988 Вт (Tc)
• Рабочая температура: от -40°C до 175°C (Tj)
• Тип монтажа: Монтаж на шасси
• Тип корпуса: Модуль
• Тип корпуса поставщика: SP3F

Возможные аналоги

• Cree C2M0025120D: Также SiC MOSFET со сходными характеристиками для высоковольтных приложений.
• Infineon FF11MR12W1M1_B11: Модуль IGBT, который может использоваться в аналогичных применениях, хотя и с немного отличающимися характеристиками.
• Rohm SCT3030AL: Еще один SiC MOSFET с хорошей комбинацией высокого напряжения и тока.

Эти модули помогут улучшить эффективность и производительность ваших электроэнергетических систем, обеспечив долговременную и надежную работу.