MSCSM170TAM23CTPAG

195 360,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

MSCSM170TAM23CTPAG от Microchip Technology

Общее Описание

MSCSM170TAM23CTPAG — это мощный модуль из карбида кремния (SiC) производства компании Microchip Technology, содержащий шесть N-канальных MOSFET транзисторов. Этот модуль предназначен для управления высоковольтными и высокотоковыми приложениями. Обладая превосходными характеристиками, такими как высокая надежность, низкие потери и высокая теплопроводность, данный модуль идеален для использования в энергетических и промышленных системах.

Преимущества

  • Высокое напряжение пробоя: 1700V, что позволяет использовать модуль в высоковольтных приложениях.
  • Высокая пропускная способность тока: до 122A при 25°C.
  • Низкое сопротивление стока: минимальное сопротивление Rds(on) составляет 22.5 мОм при 60A и 20V.
  • Высокая допустимая температура работы: до 175°C, что увеличивает срок службы и надежность модуля.
  • Эффективность: низкие потери на переключение и проводимость.

Недостатки

  • Требования к системе охлаждения: для обеспечения эффективной работы на высоких уровнях мощности требуется надежная система охлаждения.
  • Цена: стоимость SiC-компонентов, как правило, выше по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET транзисторами.

Типовое Использование

  • Индустриальные инверторы
  • Силовые преобразователи
  • Электротранспорт и зарядные устройства
  • Солнечные инверторы
  • Бытовые электроприборы с высокими требуемыми уровнями мощности

Рекомендации по Применению

  1. Корректное подключение: обеспечить правильное подключение согласно схеме, указанной производителем.
  2. Система охлаждения: учитывать требования к тепловыделению и использовать соответствующую систему охлаждения, чтобы предотвратить перегрев.
  3. Экранирование и фильтрация: применять экранирование, чтобы минимизировать электромагнитные помехи (EMI).

Основные Технические Характеристики

  • Конфигурация: 6 N-канальных MOSFET транзисторов
  • Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 1700V (1.7kV)
  • Максимальный непрерывный ток стока (Id) при 25°C: 122A
  • Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 22.5 мОм при 60A и 20V
  • Заряд затвора (Qg): 356 нК при 20V
  • Входная ёмкость (Ciss): 6600 пФ при 1000V
  • Максимальная мощность рассеяния: 588W
  • Рабочая температура (Tj): от -40°C до 175°C
  • Монтаж: шасси
  • Корпус: модуль

Возможные Аналоги

  • STMicroelectronics: STPSC20H12D
  • Wolfspeed: C2M0025120D
  • Infineon: IKW75N120T2

Эти аналоги могут также обеспечить высокую производительность при использовании в аналогичных высоковольтных и высокотоковых приложениях.

Заключение

MSCSM170TAM23CTPAG от Microchip Technology является надежным и эффективным решением для широкого спектра индустриальных и силовых приложений. Высокое напряжение и ток, низкое сопротивление стока и высокая допустимая рабочая температура делают этот модуль превосходным выбором для критически важных задач, требующих высокой производительности и надежности.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК