MSCSM170TAM15CTPAG

MSCSM170TAM15CTPAG от Microchip

Общее описание

MSCSM170TAM15CTPAG от Microchip — это силовой модуль с шестью N-канальными MOSFET-транзисторами, выполненный на основе карбида кремния (SiC). Данный модуль рассчитан на работу при напряжении до 1700 В и способен выдерживать ток до 179 А при температуре корпуса (Tc). Модуль предназначен для монтажа на шасси и обеспечивает высокую производительность и надежность в условиях высокой мощности.

Преимущества

• Высокое напряжение пробоя: до 1700 В, что позволяет использовать устройство в высоковольтных приложениях.
• Большой ток стока: до 179 А при 25°C, что подходит для приложений с высокой нагрузкой.
• Низкое сопротивление открытого канала: максимум 15 мОм при 90 А и 20 В, что улучшает энергоэффективность.
• Высокая термостойкость: рабочая температура от -40°C до 175°C, что делает модуль пригодным для использования в экстремальных условиях.
• Высокая мощность рассеивания: до 843 Вт при температуре корпуса, что способствует снижению тепловых затрат.

Недостатки

• Сложность монтажа: требует шасси для монтажа.
• Высокая стоимость: из-за использования карбида кремния и высоких характеристик могут быть дороже кремниевых аналогов.

Типовое использование

• Преобразователи мощности
• Инверторы для солнечных батарей и других возобновляемых источников энергии
• Электрические и гибридные транспортные средства
• Системы управления электродвигателями
• Промышленные источники питания

Рекомендации по применению

Для достижения максимальной производительности и надежности рекомендуем обеспечить эффективное охлаждение модуля и использовать радиаторы, соответствующие требованиям по тепловому сопротивлению. Также необходимо соблюдать рекомендации по монтажу и подключению, указанные производителем.

Основные технические характеристики

• Технология: Карбид кремния (SiC)
• Конфигурация: Шесть N-канальных транзисторов (Phase Leg)
• Напряжение сток-исток (Vds): до 1700 В
• Ток стока (Id): до 179 А при 25°C
• Сопротивление открытого канала (Rds(on)): максимум 15 мОм при 90 А и 20 В
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): максимум 3,2 В при 7,5 мА
• Заряд затвора (Qg): максимум 534 нК при 20 В
• Входная емкость (Ciss): максимум 9900 пФ при 1000 В
• Максимальная мощность рассеивания: до 843 Вт при температуре корпуса
• Рабочая температура: от -40°C до 175°C (температура перехода)
• Тип монтажа: На шасси
• Корпус: Модуль

Аналоги

• Wolfspeed C2M0025120D: SiC N-канальный MOSFET с аналогичными характеристиками.
• IXYS IXFN64N120P: Высоковольтный N-канальный MOSFET, но на основе кремния.
• Infineon IMZ120R045M1: SiC MOSFET с несколько другими характеристиками, но также подходящий для высоковольтных приложений.

Будьте уверены в выборе MSCSM170TAM15CTPAG от Microchip для высоковольтных приложений, требующих высокой мощности и надежности.