MSCSM170HM23CT3AG от Microchip

Общее описание

MSCSM170HM23CT3AG от компании Microchip – это высоковольтный SiC MOSFET модуль, предназначенный для использования в мощных силовых схемах. Это n-канальный MOSFET модуль с 4-мя транзисторами, собранными в конфигурации полного моста (Full Bridge), что дает возможность эффективно управлять большими токами и напряжениями. Высокие характеристики кремниевого карбида (SiC) позволяют модулю работать при высоких температурах и обеспечивать превосходную эффективность.

Преимущества

• Высокая эффективность: Благодаря использованию кремния карбида (SiC), модуль обеспечивает высокий КПД.
• Высокое напряжение пробоя (1700 Вольт): Подходит для работы с высоковольтными цепями.
• Большой непрерывный, допустимый ток (124 А): Поддерживает управление мощными нагрузками.
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (22.5 мОм): Минимизирует потери энергии.
• Широкий температурный диапазон (от -40°C до 175°C): Устойчив к тяжелым условиям эксплуатации.

Недостатки

• Высокая цена: SiC MOSFET модули обычно дороже кремниевых аналогов.
• Сложность монтажа: Требуется шасси для крепления модуля, что может усложнить интеграцию в некоторые системы.

Типовое использование

• Инверторы и преобразователи: Обеспечивает высокую эффективность и надежность в мощных преобразователях напряжения.
• Силовые источники питания: Подходит для применения в мощных источниках питания с высокими требованиями к КПД.
• Электромобили и гибридные системы: Используется в силовых цепях для управления двигателями.
• Возобновляемые источники энергии: Модуль может использоваться в солнечных и ветровых инверторах.

Рекомендации по применению

1. Охлаждение: Обеспечьте адекватное охлаждение модуля с помощью радиаторов или активных систем охлаждения.
2. Защита: Используйте защитные схемы для предотвращения перегрузок и скачков напряжения.
3. Микроконтроллеры: Управляйте модулем с помощью микроконтроллеров, обеспечивая точное управление гейтом.

Основные технические характеристики

• Конфигурация: 4 n-канальных MOSFET в конфигурации полного моста
• Напряжение сток-исток (Vds): 1700 Вольт
• Непрерывный допустимый ток (Id) при 25°C: 124 Ампера
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 22.5 мОм при 60 А, 20 В
• Заряд затвора (Qg) при Vgs: 356 нКл при 20 В
• Максимальная мощность: 602 Ватта
• Рабочий температурный диапазон: от -40°С до 175°С
• Тип крепления: Монтаж на шасси
• Корпус: Модуль

Возможные аналоги

• Wolfspeed C3M0065100K: SiC MOSFET для высоковольтных приложений
• Rohm SCT3160AL: n-канальный SiC MOSFET
• STMicroelectronics STPSC20065: SiC диод для использования в высоковольтных цепях

MSCSM170HM23CT3AG от Microchip – это мощное решение для высоковольтных и высокотоковых приложений, которое сочетает надежность и высокую эффективность за счет использования технологии кремниевого карбида.