MSCSM170HM12CAG

MSCSM170HM12CAG от Microchip

Общее описание:

MSCSM170HM12CAG – это высокоэффективный модуль MOSFET на основе карбида кремния (SiC) от компании Microchip. Данный компонент предназначен для применения в системах с высокими напряжениями и токами, обеспечивая превосходные характеристики надежности и эффективности.

Преимущества:

• Высокая эффективность: Благодаря использованию технологии SiC, модуль обеспечивает низкие потери при переключении и высокую эффективность работы.
• Широкий температурный диапазон: Обеспечивает надежную работу в диапазоне температур от -40°C до 175°C.
• Высокая плотность мощности: Максимальная рассеиваемая мощность до 843 Вт, что позволяет работать с большими нагрузками.
• Низкий Rds(on): Низкое сопротивление при включении, что снижает тепловые потери и повышает эффективность.

Недостатки:

• Цена: Технология карбида кремния часто дороже, чем традиционные кремниевые решения.
• Особые требования к управлению: Карбидные компоненты могут требовать специальных драйверов для управления, что увеличивает сложность схемы.

Типовое использование:

• Системы управления двигателями: Включение в схемы для управления высоковольтными двигателями.
• Инверторы: Применение в инверторах для солнечных батарей и других возобновляемых источников энергии.
• Устройства питания: Использование в источниках питания для оборудования, требующего высокой мощности и эффективности.

Рекомендации по применению:

• Используйте для приложений, требующих высокой надежности и эффективности.
• Учитывайте необходимость специальных драйверов для управления SiC MOSFET.
• Обеспечьте эффективное охлаждение компонента для полного использования его возможностей.

Основные технические характеристики:

• Конфигурация: 4 N-канальных MOSFET (полный мост)
• Макс. напряжение сток-исток (Vdss): 1700 В
• Макс. непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 179 А (Tc)
• Rds(on) (макс.) @ Id, Vgs: 15 мОм @ 90A, 20 В
• Vgs(th) (макс.) @ Id: 3.2 В @ 7.5 мА
• Макс. заряд затвора (Qg) @ Vgs: 534 нКл @ 20 В
• Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: 9900 пФ @ 1000 В
• Макс. мощность: 843 Вт (Tc)
• Температурный диапазон: от -40°C до 175°C (Tj)
• Тип монтажа: Шасси
• Корпус: Модульный

Возможные аналоги:

• Wolfspeed C2M1000170D: Высоковольтный SiC MOSFET с аналогичными характеристиками.
• Rohm SCT3022ALGC11: Другой вариант на основе технологии карбида кремния (SiC).

Сопоставьте характеристики и требования вашего проекта с вышеуказанными параметрами и выберите наиболее подходящий компонент для вашего приложения.