MSCSM170HM087CAG от Microchip

Описание

MSCSM170HM087CAG - это силовой SiC MOSFET модуль от компании Microchip Technology. Данный модуль включает в себя четыре кремниевые карбидные (SiC) N-канальные транзисторы, работающие в конфигурации полного моста. Эти компоненты предназначены для обеспечения высокоэффективного управления силовыми цепями и особенно хорошо подходят для применения, требующих высокой производительности и надежности.

Преимущества

• Высокая эффективность: Использование SiC MOSFET снижает потери мощности и увеличивает КПД.
• Высокое напряжение пробоя: Поддерживает до 1700В, что позволяет использовать его в приложениях с высоким рабочим напряжением.
• Высокая плотность мощности: Коэффициент мощности достигает 1.114kW, что делает его идеальным для компактных и мощных систем.
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): Минимальное сопротивление в открытом состоянии (11.3 mΩ) снижает потери на проводниках.
• Широкий диапазон рабочих температур: Диапазон от -40°C до 175°C, что позволяет использовать компонент в экстремальных эксплуатационных условиях.

Недостатки

• Стоимость: Карбид кремния может быть дороже стандартных кремниевых MOSFET.
• Необходимость управления: Требует правильного управления для достижения оптимальной производительности.

Типовое использование

• Инверторы: Высокоэффективное преобразование мощности в системах генерации.
• Преобразователи напряжения: Преобразование высокого напряжения для промышленного применения.
• Электрические транспортные средства: Употребление в силовых схемах для повышения эффективности и сокращения потребления энергии.
• Приводы двигателей: Контроль двигателей с высоким КПД и производительностью.
• Тяжелая промышленность: Применение в промышленных системах, требующих высокой надежности и долговечности компонентов.

Рекомендации по применению

• Корректное охлаждение: Использование эффективных систем охлаждения для обеспечения надежной работы при высоких токах и напряжениях.
• Монтаж: Установите компонент на шасси для обеспечения адекватного отвода тепла.
• Импульсное управление: Оптимизируйте управление затвором для минимизации потерь и повышения эффективности переключений.

Основные технические характеристики

• Напряжение сток-исток (Vdss): 1700В
• Постоянный ток стока (Id) при 25°C: 238A (Tc)
• Макс. Rds(on) при Id, Vgs: 11.3 mΩ при 120A, 20V
• Тепловая мощность (Tc): 1.114kW
• Температурный диапазон: -40°C ~ 175°C (TJ)
• Корпус/среда размещения: Модуль для монтажа на шасси

Возможные аналоги

• Cree/Wolfspeed C2M1000170J: Аналогичный SiC MOSFET с напряжением пробоя 1700В.
• Rohm SCT3160KL: Вариант SiC MOSFET с несколько различными характеристиками по току и сопротивлению.

Заключение

MSCSM170HM087CAG от Microchip является отличным выбором для промышленных и автомобильных приложений, требующих высокоэффективных решений с высокой производительностью и надежностью. Использование SiC технологии позволяет достичь значительных улучшений в области эффективности и плотности мощности.