MSCSM170DUM058AG

137 520,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

MSCSM170DUM058AG от Microchip

Общее описание: MSCSM170DUM058AG - это двухканальный SiC MOSFET модуль от Microchip, предназначенный для высоковольтных и высокомощных применений. Он использует кремний-карбидную (SiC) технологию, что способствует более высокой эффективности и меньшим потерям.

Преимущества:

  • Высокое напряжение пробоя (1700V)
  • Низкое сопротивление Rds(on) (58 мОм)
  • Высокая термическая стойкость и эффективность
  • Увеличенная рабочая температура до 175°C
  • Уменьшенные коммутационные потери и повышенная плотность мощности

Недостатки:

  • Требования к охлаждению при высоких токах
  • Большее внимание к электромагнитной совместимости (EMC) из-за высокой скорости переключения

Типовое использование:

  • Преобразователи энергии для возобновляемых источников энергии
  • Инверторы и источники питания переменного тока
  • Промышленные транспортные средства и железнодорожные системы
  • Двигательные приводы и управления

Рекомендации по применению:

  • Используйте адекватное охлаждение и тепловое управление для повышения надежности.
  • Учитывайте EMC совокупности, используя фильтры и экранирование при необходимости.
  • Следите за правильностью монтажа и подключения для минимизации индуктивных эффектов и других непредвиденных факторов.

Основные технические характеристики:

  • Конфигурация: Два N-канальных (двойной) MOSFET в одном модуле
  • Напряжение стекания - источник (Vdss): 1700V
  • Ток - непрерывной стекания (Id) при 25°C: 84A (Tc)
  • Rds On (макс.) при Id, Vgs: 58 мОм @ 100A, 20V
  • Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 4V @ 3.5mA
  • Общий заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs: 105нКл @ 20V
  • Максимальная мощность: 762Вт
  • Рабочая температура: -40°C до +175°C (Tj)
  • Тип монтажа: На корпус (Chassis Mount)
  • Корпус / упаковка: Модуль

Возможные аналоги:

  • CMF20120D от Cree: SiC MOSFET, 1200V, 30A, с низкими потерями переключения.
  • CAS120M12BM2 от Wolfspeed: SiC MOSFET, 1200V, 120A, оптимизированный для высоких частот.

Подробные технические характеристики и руководство по применению вы можете найти в соответствующей документации производителя.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК