MSCSM170AM058CT6LIAG

MSCSM170AM058CT6LIAG от Microchip

Общее описание

MSCSM170AM058CT6LIAG — это высокопроизводительный SiC MOSFET массив от компании Microchip Technology. Данный компонент выполнен с применением современной технологии карбида кремния (SiC), что обеспечивает превосходные характеристики при работе в условиях высокого напряжения и большой мощности. Массив FET состоит из двух N-канальных транзисторов, предназначенных для приложения в высокомощных инверторах, преобразователях и других устройствах силовой электроники.

Преимущества

• Высокое напряжение пробоя: 1700 В (1.7 кВ).
• Большой максимальный ток стока: до 353 А при 25°C.
• Низкое сопротивление Rds(on): 7.5 мОм при 180 А и 20 В.
• Высокая термическая стабильность: рабочая температура от -40°C до 175°C.
• Повышенная эффективность: благодаря низким потерям при переключении и высокой скорости отклика.

Недостатки

• Высокая стоимость: SiC компоненты традиционно дороже по сравнению с кремниевыми аналогами.
• Требования к охлаждению: необходим эффективный теплоотвод для работы на высоких токах и напряжениях.

Типовое использование

• Инверторы: для преобразования постоянного тока в переменный с высокой эффективностью.
• Силовые преобразователи: использование в приложениях с высоким мощностным уровнем, таких как приводы электродвигателей и системы питания.
• Выпрямители: для использования в промышленной автоматике и энергетических системах.

Рекомендации по применению

• Использовать соответствующие методы и материалы для теплоотвода при максимальных токовых нагрузках.
• Минимизировать индиктивные элементы в связях для уменьшения потерь на переключение.
• Обеспечить достаточную защиту от электрических перенапряжений и выбросов трансформаторов.

Основные технические характеристики

• Технология: Карбид кремния (SiC)
• Конфигурация: 2 N-канальных транзистора (фазная ножка)
• Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 1700 В
• Максимальный постоянный ток стока (Id) при 25°C: 353 А
• Сопротивление сток-исток (Rds(on)): 7.5 мОм при 180 А и 20 В
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 3.3 В при 15 мА
• Максимальное заряд затвора (Qg): 1068 нК при 20 В
• Входная емкость (Ciss): 19800 пФ при 1000 В
• Максимальная мощность: 1.642 кВт (Tc)
• Рабочая температура: от -40°C до 175°C
• Тип монтажа: Шасси
• Корпус/упаковка: Модуль

Возможные аналоги

• C2M0045170D от Wolfspeed
• STPSC10H065DY от STMicroelectronics
• C3M0016120K от Wolfspeed

Этот компонент предлагает высокоэффективное решение для задач, требующих работы в условиях высоких токов и напряжений, предоставляя надежность и производительность, которая удовлетворяет требованиям современных силовых приложений.