MSCSM170AM039CD3AG

MSCSM170AM039CD3AG от Microchip

Общее описание

MSCSM170AM039CD3AG — это высокоэффективный модуль MOSFET от Microchip, выполненный на основе технологии карбида кремния (SiC). Он предназначен для работы с высокими напряжениями и токами, обеспечивая повышенную эффективность и надежность в различных приложениях.

Преимущества

• Высокая максимально допустимая температура. Рабочий диапазон температур до 175°C повышает гибкость использования и долговечность компонентов.
• Повышенная эффективность. Низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds On) и высокий коэффициент полезного действия.
• Устойчивость к высоким напряжениям. Поддержка напряжения до 1700V делает этот модуль идеальным для использования в мощных системах.
• Сниженные потери при переключении. Быстрое переключение благодаря низкому зарядному насосу уменьшает потери энергии.

Недостатки

• Сложность в обращении. Высокие характеристики требуют внимательного отношения и точного соблюдения условий эксплуатации.
• Высокая цена. Из-за использования технологии SiC этот компонент имеет более высокую стоимость по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET.

Типовое использование

• Преобразователи напряжения и частотные преобразователи.
• Системы распределения электроэнергии.
• Промышленные и силовые инверторы.
• Фотоэлектрические силовые системы.

Рекомендации по применению

• Используйте радиаторы и другие средства охлаждения для поддержания оптимальной рабочей температуры.
• Обеспечьте надлежащий монтаж и контактные соединения для минимизации потерь и повышения надежности.
• Следите за параметрами рабочей нагрузки для предотвращения перегрузок и повреждений модуля.

Основные технические характеристики

• Технология: Карбид кремния (SiC)
• Мощность: 2.4kW (при Tc)
• Конфигурация: 2 N-канальных (Phase Leg)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1700V
• Постоянный ток стока (Id) при 25°C: 523A (Tc)
• Сопротивление сток-исток (Rds On): 5 мОм при 270A и 20V
• Заряд затвора (Qg): 1602 нКл при 20V
• Максимальная температура перехода (TJ): -40°C ~ 175°C
• Корпус: Модуль

Возможные аналоги

• C2M0080170D от Wolfspeed. Другой SiC MOSFET с аналогичными характеристиками для высоковольтных применений.
• SCT3160KL от ROHM. MOSFET на основе SiC для высокотемпературного использования и высокой эффективности.

Заключение

MSCSM170AM039CD3AG от Microchip является превосходным выбором для приложений, требующих высокой мощности и надежности. Его высокие характеристики и использование технологии карбида кремния делают его идеальным для сложных промышленных и энергетических систем.