MSCSM120TAM31CT3AG

MSCSM120TAM31CT3AG от Microchip

Общее описание

MSCSM120TAM31CT3AG — это высоковольтный SiC MOSFET модуль от Microchip. Он разработан для управления мощными нагрузками и идеально подходит для применения в силовой электронике. Модуль включает в себя шесть N-канальных MOSFET'ов, интегрированных в компактный корпус типа SP3F.

Преимущества

• Высокое напряжение пробоя (1200V): Обеспечивает надежную и эффективную работу в условиях высокого напряжения.
• Высокая тепловая мощность (395W): Способствует отличному тепловому управлению и долговечности.
• Низкое сопротивление открытого канала (31mOhm): Обеспечивает минимальные потери энергии и высокую эффективность.
• Широкий диапазон рабочих температур (-40°C ~ 175°C): Позволяет использовать модуль в различных применениях, включая экстремальные условия.

Недостатки

• Высокая стоимость: SiC компоненты обычно дороже по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET'ами.
• Требует специального драйвера: Для достижения оптимальной производительности могут потребоваться специальные драйверы SiC MOSFET'ов.

Типовое использование

• Преобразователи DC-DC и DC-AC
• Электроприводы
• Ветроэнергетические установки
• Солнечные инверторы
• Индустриальная силовая электроника

Рекомендации по применению

Для оптимальной производительности и долговечности рекомендуется использование эффективных теплоотводящих решений и обеспечение правильного управления драйверами. Также важно обращать внимание на эксплуатацию в допустимых температурных и электрических пределах.

Основные технические характеристики

• Технология: Карбид кремния (SiC)
• Конфигурация: 6 N-канальных MOSFET'ов (3-фазный мост)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
• Ток в непрерывном режиме (Id) при 25°C: 89A
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds On): 31mOhm при 40A, 20V
• Напряжение открытия затвора (Vgs(th)): 2.8V при 1mA
• Заряд затвора (Qg): 232nC при 20V
• Интенсивность рассеиваемой мощности (Pd): 395W
• Рабочая температура: -40°C до 175°C
• Корпус: SP3F

Возможные аналоги

• Wolfspeed C2M0025120D: SiC MOSFET с аналогичными параметрами.
• Infineon FF12MR12W2M1B11_B11: Альтернативный SiC модуль для высоковольтных приложений.
• ROHM SCT3022AL: Другой производитель SiC MOSFET'ов, подходящих для схожих решений.

Заключение

MSCSM120TAM31CT3AG от Microchip является отличным выбором для проектов, требующих высоковольтных MOSFET модулей с высокой мощностью и эффективным тепловым управлением. Его применение широко распространено в современных промышленных и энергетических системах, где требуются надежность и производительность.